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公开(公告)号：CN103379945A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201380000449.1
申请日：2013-03-19
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： A99Z99/00
CPC分类号： C23C14/042 , C23C16/042
摘要： 在此叙述一种用以处理基板的装置。一种用于控制基板上的沉积的装置可包括腔室、基板支撑件、以及遮蔽框，腔室包括遮蔽框支撑件，基板支撑件包括基板支撑表面，遮蔽框具有遮蔽框主体及可分离式唇部，遮蔽框主体包括第一支撑面以及相对于第一面的第二支撑面，可分离式唇部与遮蔽框主体连接。可分离式唇部可包括支撑连接件、第一唇部表面、第二唇部表面、第一边缘、以及第二边缘，第一唇部表面面对基板，第二唇部表面相对于第一唇部表面，第一边缘设置在第一支撑面上方，第二边缘相对于第一边缘以接触基板。
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公开(公告)号：CN102933743A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180026734.1
申请日：2011-07-08
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/205
CPC分类号： B05B1/005 , C23C16/45565 , H01J37/3244
摘要： 本发明的实施例大致上提供用以支撑工艺腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，提供一种用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧与第二侧以及多个气体通道，所述第二侧与所述第一侧相对，所述多个气体通道形成为穿过所述主体，所述气体通道包含形成在所述第一侧中的第一孔洞，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；及悬置特征结构，所述悬置特征结构形成在所述气体通道中至少一个的所述第一孔洞中。
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公开(公告)号：CN101821426B
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN200880111840.8
申请日：2008-10-10
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/00 , H01L21/306
CPC分类号： C23C16/505 , C23C16/45565 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/3244
摘要： 本发明的实施例一般包括一种射频回传板，该射频回传板是在利用射频电流的设备中使用的。无论背板有多大，皆需要背板支撑结构以预防背板下垂。跨越该背板并朝向喷洒头流动的射频电流会部分转向并往上流经支撑结构。往上流经支撑结构的射频电流会将不期望的偏压施加在支撑结构上，也会因此降低流至喷洒头的射频电流。藉由将射频电流回传至来源处，则可降低往上流经支撑结构的射频电流量。射频回传板可以设置在腔室盖和支撑结构之间，以将任何会往上流经支撑结构的射频电流重新导引而往下流回至腔室盖。
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公开(公告)号：CN103379945B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380000449.1
申请日：2013-03-19
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： C23C14/042 , C23C16/042
摘要： 在此叙述一种用以处理基板的装置。一种用于控制基板上的沉积的装置可包括腔室、基板支撑件、以及遮蔽框，腔室包括遮蔽框支撑件，基板支撑件包括基板支撑表面，遮蔽框具有遮蔽框主体及可分离式唇部，遮蔽框主体包括第一支撑面以及相对于第一面的第二支撑面，可分离式唇部与遮蔽框主体连接。可分离式唇部可包括支撑连接件、第一唇部表面、第二唇部表面、第一边缘、以及第二边缘，第一唇部表面面对基板，第二唇部表面相对于第一唇部表面，第一边缘设置在第一支撑面上方，第二边缘相对于第一边缘以接触基板。
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公开(公告)号：CN102308675B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201080007090.7
申请日：2010-02-04
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H05H1/34 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32568 , H01L21/67069
摘要： 本发明描述对在两个电极之间的电流提供电气对称接地或回流路径的方法与设备。该设备包括至少一个射频(RF)装置，该至少一个射频装置耦接至电极中的一个且位于处理腔室的侧壁和/或底部之间。此方法包括相对于另一个电极移动一个电极，并基于该位移电极的位置而使用耦接至侧壁与该电极的RF装置、耦接至该腔室的底部与该电极的RF装置、或其组合中的一者或两者以实现一接地回流路径。
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公开(公告)号：CN102460649A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080026164.1
申请日：2010-05-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H05H1/34
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4404 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32577
摘要： 本文揭露的实施例大致关于具有阳极处理的气体分配喷头的设备。在大面积平行板的RF处理腔室中，控制RF返回路径将具有挑战性。RF处理腔室中经常碰到电弧的产生。为了减少RF处理腔室中的电弧产生，可耦接多个带至基座以缩短RF返回路径；可在处理过程中耦接陶瓷或绝缘或阳极处理的遮蔽框架至基座；且可沉积阳极处理的涂层于最接近腔室壁的喷头边缘上。阳极处理的涂层可减少喷头与腔室壁之间的电弧产生，并因此增进薄膜性质并提高沉积速率。
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公开(公告)号：CN102918180B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201180021285.1
申请日：2011-05-18
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： B05B1/185 , C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/5096 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32623 , H01J37/32651 , Y10T137/6851
摘要： 本发明的实施例通常包括与喷头组件一起使用的屏蔽框组件，以及具有屏蔽框组件的喷头组件，屏蔽框组件包括绝缘体，该绝缘体紧密安装围绕于真空处理腔室中之喷头的外缘。于一实施例中，喷头组件包括气体分配板以及多片式框组件，多片式框组件界定气体分配板的外缘边缘。多片式框组件容许气体分配板膨胀，而不会产生可能导致电弧放电的间隙。在其它实施例中，绝缘体经定位而使集中于气体分配板外缘的电场位在绝缘体中，从而降低电弧放电的可能性。
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公开(公告)号：CN102308675A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201080007090.7
申请日：2010-02-04
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H05H1/34 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32568 , H01L21/67069
摘要： 本发明描述对在两个电极之间的电流提供电气对称接地或回流路径的方法与设备。该设备包括至少一个射频(RF)装置，该至少一个射频装置耦接至电极中的一个且位于处理腔室的侧壁和/或底部之间。此方法包括相对于另一个电极移动一个电极，并基于该位移电极的位置而使用耦接至侧壁与该电极的RF装置、耦接至该腔室的底部与该电极的RF装置、或其组合中的一者或两者以实现一接地回流路径。
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公开(公告)号：CN105463409B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201510891705.1
申请日：2011-07-08
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50
CPC分类号： B05B1/005 , C23C16/45565 , H01J37/3244
摘要： 本发明公开了改善气流的喷头支撑结构。本发明的实施例大致上提供用以支撑工艺腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，提供一种用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧与第二侧以及多个气体通道，所述第二侧与所述第一侧相对，所述多个气体通道形成为穿过所述主体，所述气体通道包含形成在所述第一侧中的第一孔洞，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；及悬置特征结构，所述悬置特征结构形成在所述气体通道中至少一个的所述第一孔洞中。
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