公开(公告)号：CN110112053B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201910130024.1

申请日：2014-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN102405535A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201080018150.5

申请日：2010-04-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·李 ,  C·鲁 ,  G·B·普拉巴 ,  D·C·T·卢 ,  G·翁 ,  D·坦纳

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H05K3/321 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/6776 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/046 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0512 ,  H01L31/188 ,  H05K2203/0278 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明的实施例提供了一种在装置上形成电连接的方法。在一实施例中，电连接经由具有导电颗粒的粘着剂附接至该装置。在一实施例中，粘着剂在施加压力时被固化，以使导电颗粒对准，颗粒与颗粒间的间距减小，或者彼此接触以在电连接与装置之间提供更直接的导电(电阻较小)路径。在本发明的一实施例中，提供了一种在形成太阳能电池装置期间在部分形成的太阳能电池上形成电性引线的方法。该方法包含以下步骤：将侧汇流排导线置放于导电粘着剂的图案上，该导电粘着剂配置于太阳能电池装置基板的背接触层上；将在太阳能电池装置基板与背玻璃基板之间的侧汇流排导线与导电粘着剂层压，以形成复合太阳能电池结构；及当向复合太阳能电池结构施加压力并加热时固化导电粘着剂。

公开(公告)号：CN110112053A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910130024.1

申请日：2014-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN105580118A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480050763.5

申请日：2014-07-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·陈 ,  Z·李 ,  A·王 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉曼

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/02205 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 描述了蚀刻经图案化的异质结构上的氮化硅的方法，并且所述方法包括由含氟前体以及含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。使来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在所述基板处理区域中，等离子体流出物与氮化硅反应。等离子体流出物与经图案化的异质结构反应，以便选择性地去除氮化硅，同时非常缓慢地去除硅(诸如，多晶硅)。氮化硅的选择性部分地源于使用相异的(但可能重叠的)等离子体路径而引入含氟前体以及含氮和氧的前体，所述相异的等离子体路径可以是串联的或并联的。

公开(公告)号：CN105103266A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480018007.4

申请日：2014-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/324 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/263 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6831

Abstract: 提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN105580118B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201480050763.5

申请日：2014-07-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·陈 ,  Z·李 ,  A·王 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉曼

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00

Abstract: 描述了蚀刻经图案化的异质结构上的氮化硅的方法，并且所述方法包括由含氟前体以及含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。使来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在所述基板处理区域中，等离子体流出物与氮化硅反应。等离子体流出物与经图案化的异质结构反应，以便选择性地去除氮化硅，同时非常缓慢地去除硅(诸如，多晶硅)。氮化硅的选择性部分地源于使用相异的(但可能重叠的)等离子体路径而引入含氟前体以及含氮和氧的前体，所述相异的等离子体路径可以是串联的或并联的。