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公开(公告)号：CN103026464A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180018408.6
申请日：2011-03-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/40 , C23C16/56 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/02362
Abstract: 本发明关于一种用于在基板上形成金属前介电(PMD)层或金属间介电(IMD)层的方法，所述方法包括下列步骤：将基板置放于化学气相沉积(CVD)处理腔室中，并在所述化学气相沉积处理腔室中，于基板上形成第一氧化物层。使用热CVD处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第一氧化物层。所述方法亦包括下列步骤：在CVD腔室中，于第一氧化物层上形成第二氧化物层。使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第二氧化物层。在形成第一氧化物层及第二氧化物层期间，基板仍保持于CVD处理腔室中。
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公开(公告)号：CN103907182B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201280051888.0
申请日：2012-09-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/31 , H01L21/205
Abstract: 在此描述一种在半导体基板中蚀刻凹部的方法。该方法可包含：在基板的沟槽中形成介电衬垫层，其中该衬垫层具有第一密度。该方法也可包含：至少部分位在该沟槽中于该衬垫层上沉积第二介电层。该第二介电层在沉积后最初为可流动，并且有第二密度，该第二密度低于该衬垫的第一密度。该方法可进一步包括：将该基板暴露至干式蚀刻剂，其中该蚀刻剂移除该第一衬垫层与该第二介电层的一部分而形成凹部，其中该干式蚀刻剂包括含氟化合物与分子氢，且其中移除该第一介电衬垫层与移除该第二介电层的蚀刻速率比为约1:1.2至约1:1。
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公开(公告)号：CN103843110B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201280047561.6
申请日：2012-08-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01J37/32357 , H01J2237/334 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31116
Abstract: 一种蚀刻基板的方法包含在基板上形成由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅组成的多个双重图案化特征。将具有双重图案化特征的基板提供至工艺区。在远程腔室中激励包含三氟化氮、氨及氢的蚀刻气体。将受激励的蚀刻气体引入至工艺区以蚀刻双重图案化特征而形成固态残留物于基板上。藉由将基板加热至至少约100℃的温度来升华固态残留物。
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公开(公告)号：CN102598222B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201080047977.9
申请日：2010-08-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , G03F7/42 , B44C1/22
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 在此描述一种蚀刻含硅及碳的材料的方法，所述方法包括结合反应性氧流的SiConiTM蚀刻。反应性氧可在SiConiTM蚀刻之前导入，从而减少接近表面区域处的碳含量，并且使SiConiTM蚀刻得以更快速进行。或者，反应性氧可在SiConiTM蚀刻期间导入，以进一步改善有效的蚀刻速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103907182A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280051888.0
申请日：2012-09-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/31 , H01L21/205
Abstract: 在此描述一种在半导体基板中蚀刻凹部的方法。该方法可包含：在基板的沟槽中形成介电衬垫层，其中该衬垫层具有第一密度。该方法也可包含：至少部分位在该沟槽中于该衬垫层上沉积第二介电层。该第二介电层在沉积后最初为可流动，并且有第二密度，该第二密度低于该衬垫的第一密度。该方法可进一步包括：将该基板暴露至干式蚀刻剂，其中该蚀刻剂移除该第一衬垫层与该第二介电层的一部分而形成凹部，其中该干式蚀刻剂包括含氟化合物与分子氢，且其中移除该第一介电衬垫层与移除该第二介电层的蚀刻速率比为约1:1.2至约1:1。
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公开(公告)号：CN103843118A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280048556.7
申请日：2012-09-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/401 , H01L21/31116 , H01L29/66545
Abstract: 揭露沉积介电层以及从半导体基板的表面蚀刻介电层的方法。方法可包括沉积第一介电层，第一介电层具有HF水溶液中的第一湿法蚀刻速率。方法亦可包括沉积第二介电层，第二介电层在沉积之后最初可为可流动的，且第二介电层可具有HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率，第二湿法蚀刻速率高于第一湿法蚀刻速率。方法可进一步包括用蚀刻剂气体混合物蚀刻第一介电层与第二介电层，其中第一介电层与第二介电层的蚀刻速率比率比HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率与第一湿法蚀刻速率的比率更接近1。
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公开(公告)号：CN102598222A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080047977.9
申请日：2010-08-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , G03F7/42 , B44C1/22
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 在此描述一种蚀刻含硅及碳的材料的方法，所述方法包括结合反应性氧流的SiConiTM蚀刻。反应性氧可在SiConiTM蚀刻之前导入，从而减少接近表面区域处的碳含量，并且使SiConiTM蚀刻得以更快速进行。或者，反应性氧可在SiConiTM蚀刻期间导入，以进一步改善有效的蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN103843110A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280047561.6
申请日：2012-08-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01J37/32357 , H01J2237/334 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31116
Abstract: 一种蚀刻基板的方法包含在基板上形成由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅组成的多个双重图案化特征。将具有双重图案化特征的基板提供至工艺区。在远程腔室中激励包含三氟化氮、氨及氢的蚀刻气体。将受激励的蚀刻气体引入至工艺区以蚀刻双重图案化特征而形成固态残留物于基板上。藉由将基板加热至至少约100℃的温度来升华固态残留物。
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公开(公告)号：CN101310039B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200780000130.3
申请日：2007-05-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/40
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02337 , H01L21/31612
Abstract: 本文描述将氧化硅层沉积于基材上的方法。所述方法可包括将基材提供至沉积室、在沉积室外产生氧原子前驱物以及将氧原子前驱物引入沉积室中的多个步骤。所述方法亦可包括将硅前驱物引入至沉积室中，其中硅前驱物和氧原子前驱物先在沉积室内混合。硅前驱物与氧原子前驱物反应而将氧化硅层形成于基材上，所沉积的氧化硅层可被退火。本文亦描述用来将氧化硅层沉积于基材上的系统。
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