公开(公告)号：CN103026464A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180018408.6

申请日：2011-03-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·Q·华 ,  L·罗 ,  M·A·埃尔南德斯 ,  Z·曹 ,  K·萨普瑞 ,  A·巴特纳格尔

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02362

Abstract: 本发明关于一种用于在基板上形成金属前介电(PMD)层或金属间介电(IMD)层的方法，所述方法包括下列步骤：将基板置放于化学气相沉积(CVD)处理腔室中，并在所述化学气相沉积处理腔室中，于基板上形成第一氧化物层。使用热CVD处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第一氧化物层。所述方法亦包括下列步骤：在CVD腔室中，于第一氧化物层上形成第二氧化物层。使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第二氧化物层。在形成第一氧化物层及第二氧化物层期间，基板仍保持于CVD处理腔室中。

公开(公告)号：CN103843110B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201280047561.6

申请日：2012-08-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·萨普瑞 ,  J·唐 ,  A·巴特纳格尔 ,  N·英格尔 ,  S·文卡特拉马曼

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116

Abstract: 一种蚀刻基板的方法包含在基板上形成由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅组成的多个双重图案化特征。将具有双重图案化特征的基板提供至工艺区。在远程腔室中激励包含三氟化氮、氨及氢的蚀刻气体。将受激励的蚀刻气体引入至工艺区以蚀刻双重图案化特征而形成固态残留物于基板上。藉由将基板加热至至少约100℃的温度来升华固态残留物。

公开(公告)号：CN103843110A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280047561.6

申请日：2012-08-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·萨普瑞 ,  J·唐 ,  A·巴特纳格尔 ,  N·英格尔 ,  S·文卡特拉马曼

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116

Abstract: 一种蚀刻基板的方法包含在基板上形成由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅组成的多个双重图案化特征。将具有双重图案化特征的基板提供至工艺区。在远程腔室中激励包含三氟化氮、氨及氢的蚀刻气体。将受激励的蚀刻气体引入至工艺区以蚀刻双重图案化特征而形成固态残留物于基板上。藉由将基板加热至至少约100℃的温度来升华固态残留物。