公开(公告)号：CN103026464A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180018408.6

申请日：2011-03-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·Q·华 ,  L·罗 ,  M·A·埃尔南德斯 ,  Z·曹 ,  K·萨普瑞 ,  A·巴特纳格尔

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02362

Abstract: 本发明关于一种用于在基板上形成金属前介电(PMD)层或金属间介电(IMD)层的方法，所述方法包括下列步骤：将基板置放于化学气相沉积(CVD)处理腔室中，并在所述化学气相沉积处理腔室中，于基板上形成第一氧化物层。使用热CVD处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第一氧化物层。所述方法亦包括下列步骤：在CVD腔室中，于第一氧化物层上形成第二氧化物层。使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第二氧化物层。在形成第一氧化物层及第二氧化物层期间，基板仍保持于CVD处理腔室中。