公开(公告)号：CN101310039B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200780000130.3

申请日：2007-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·K·英格尔 ,  Z·袁 ,  P·基 ,  K·萨普瑞

IPC: C23C16/40

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31612

Abstract: 本文描述将氧化硅层沉积于基材上的方法。所述方法可包括将基材提供至沉积室、在沉积室外产生氧原子前驱物以及将氧原子前驱物引入沉积室中的多个步骤。所述方法亦可包括将硅前驱物引入至沉积室中，其中硅前驱物和氧原子前驱物先在沉积室内混合。硅前驱物与氧原子前驱物反应而将氧化硅层形成于基材上，所沉积的氧化硅层可被退火。本文亦描述用来将氧化硅层沉积于基材上的系统。