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公开(公告)号：CN107710378B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201680034055.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实现方式提供一种基板支撑组件，该基板支撑组件实现等离子体腔室内的等离子体调谐。在一个实施例中，提供一种用于在腔室中调谐等离子体的方法。该方法包含以下步骤：向基板支撑组件中的第一电极提供第一射频功率及直流功率；向第二电极提供第二射频功率，该第二电极在该基板支撑组件中与第一电极不同的位置处；监测该第一和第二射频功率的参数；及基于所监测的参数，调整该第一和第二射频功率中的一者或两者。
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公开(公告)号：CN102598222A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080047977.9
申请日：2010-08-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , G03F7/42 , B44C1/22
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 在此描述一种蚀刻含硅及碳的材料的方法，所述方法包括结合反应性氧流的SiConiTM蚀刻。反应性氧可在SiConiTM蚀刻之前导入，从而减少接近表面区域处的碳含量，并且使SiConiTM蚀刻得以更快速进行。或者，反应性氧可在SiConiTM蚀刻期间导入，以进一步改善有效的蚀刻速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102598222B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201080047977.9
申请日：2010-08-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , G03F7/42 , B44C1/22
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 在此描述一种蚀刻含硅及碳的材料的方法，所述方法包括结合反应性氧流的SiConiTM蚀刻。反应性氧可在SiConiTM蚀刻之前导入，从而减少接近表面区域处的碳含量，并且使SiConiTM蚀刻得以更快速进行。或者，反应性氧可在SiConiTM蚀刻期间导入，以进一步改善有效的蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN107710378A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680034055.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实现方式提供一种基板支撑组件，该基板支撑组件实现等离子体腔室内的等离子体调谐。在一个实施例中，提供一种用于在腔室中调谐等离子体的方法。该方法包含以下步骤：向基板支撑组件中的第一电极提供第一射频功率及直流功率；向第二电极提供第二射频功率，该第二电极在该基板支撑组件中与第一电极不同的位置处；监测该第一和第二射频功率的参数；及基于所监测的参数，调整该第一和第二射频功率中的一者或两者。
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公开(公告)号：CN102652355A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201080055791.8
申请日：2010-11-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/02326 , H01L21/02343
Abstract: 提供在含硅介电材料上进行湿法氧化工艺的方法，该含硅介电材料填充在基板内所界定的沟槽或孔洞内。在一实施例中，在基板上形成介电材料的方法包括藉由流动式CVD工艺在基板上形成介电材料、固化设置在基板上的介电材料、在设置在基板上的介电材料上进行湿法氧化工艺，以及在基板上形成经氧化介电材料。
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公开(公告)号：CN206546813U
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201621084463.1
申请日：2016-09-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32091 , H01J37/3211 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J2237/3323 , H01J2237/334
Abstract: 公开了一种利用等离子体点源的阵列处理工件的等离子体反应器。一种等离子体源，由等离子体点源的阵列组成，该等离子体源对用户界定的区域在空间上和时间上控制带电粒子和自由基的产生。
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公开(公告)号：CN207503911U
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201721159736.9
申请日：2016-09-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32091 , H01J37/3211 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J2237/3323 , H01J2237/334
Abstract: 本实用新型提供了一种等离子体反应器。在一个实施例中，等离子体反应器包含：工艺腔室主体，所述工艺腔室主体具有处理区，所述处理区由圆柱形侧壁、下顶板和底板包围；工件支座，所述工件支座用于在所述处理区域内支撑工件；真空泵，所述真空泵通过所述底板耦接至所述处理区域；气体出口孔的阵列，所述气体出口孔的阵列形成在所述下顶板中；圆柱形腔的阵列，所述圆柱形腔的阵列由电介质圆柱形腔壁包围，每一个圆柱形腔与所述气体出口孔中相应的一个对齐；电源；以及相应的功率施加器，所述相应的功率施加器配置成通过将功率从所述相应的功率施加器经所述电介质圆柱形腔壁而耦合到所述圆柱形腔中以在所述圆柱形腔中的相应的腔中产生等离子体。
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