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公开(公告)号：CN107710378B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201680034055.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实现方式提供一种基板支撑组件，该基板支撑组件实现等离子体腔室内的等离子体调谐。在一个实施例中，提供一种用于在腔室中调谐等离子体的方法。该方法包含以下步骤：向基板支撑组件中的第一电极提供第一射频功率及直流功率；向第二电极提供第二射频功率，该第二电极在该基板支撑组件中与第一电极不同的位置处；监测该第一和第二射频功率的参数；及基于所监测的参数，调整该第一和第二射频功率中的一者或两者。
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公开(公告)号：CN103080939A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180038376.6
申请日：2011-08-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06N5/025
Abstract: 本文提供了用于自动验证半导体工艺步骤的方法及设备。在一些实例中，一种用于验证半导体工艺制作方法的方法包括以下步骤：选择规则集，所述规则集描述半导体工艺工具的操作窗口；相对于所述规则集的限制核对规则来核对参数值以产生第一结果，所述参数值由所述半导体工艺制作方法中的步骤定义；使用所述规则集的步骤定义规则，根据所述半导体工艺制作方法中的所述步骤确定步骤类型，以产生第二结果；相对于所述规则集的步骤转变规则来核对所述步骤类型之间的转变，以产生第三结果；以及基于所述第一结果、所述第二结果及所述第三结果，使用所述计算机产生验证数据，以供使用所述半导体工艺工具的所述半导体工艺制作方法使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109599356A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811139451.8
申请日：2018-09-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本公开是将静电吸盘结合到温度控制基部的方法。根据实施方式，在包括静电吸盘的介电主体与温度控制基部之间形成结合层。流孔延伸穿过介电主体并且与温度控制基部中的流孔对准。结合层还配置有开口，开口与介电主体和温度控制基部中的孔对准。在一个方面中，可以将多孔插塞设置在流孔内以保护结合层。在另一方面中，将密封件设置在流孔内以密封结合层，使其与流孔中的气体隔离。
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公开(公告)号：CN107710378A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680034055.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实现方式提供一种基板支撑组件，该基板支撑组件实现等离子体腔室内的等离子体调谐。在一个实施例中，提供一种用于在腔室中调谐等离子体的方法。该方法包含以下步骤：向基板支撑组件中的第一电极提供第一射频功率及直流功率；向第二电极提供第二射频功率，该第二电极在该基板支撑组件中与第一电极不同的位置处；监测该第一和第二射频功率的参数；及基于所监测的参数，调整该第一和第二射频功率中的一者或两者。
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公开(公告)号：CN103080939B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180038376.6
申请日：2011-08-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06N5/025
Abstract: 本文提供了用于自动验证半导体工艺步骤的方法及设备。在一些实例中，一种用于验证半导体工艺制作方法的方法包括以下步骤：选择规则集，所述规则集描述半导体处理工具的操作窗口；相对于所述规则集的限制核对规则来核对参数值以产生第一结果，所述参数值由所述半导体工艺制作方法中的步骤定义；使用所述规则集的步骤定义规则，根据所述半导体工艺制作方法中的所述步骤确定步骤类型，以产生第二结果；相对于所述规则集的步骤转变规则来核对所述步骤类型之间的转变，以产生第三结果；以及基于所述第一结果、所述第二结果及所述第三结果，使用所述计算机产生验证数据，以供使用所述半导体处理工具的所述半导体工艺制作方法使用。
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公开(公告)号：CN209461436U
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201821592086.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本实用新型公开了一种结合层结构。根据实施方式，在包括静电吸盘的介电主体与温度控制基部之间形成结合层。流孔延伸穿过介电主体并且与温度控制基部中的流孔对准。结合层还配置有开口，开口与介电主体和温度控制基部中的孔对准。在一个方面中，可以将多孔插塞设置在流孔内以保护结合层。在另一方面中，将密封件设置在流孔内以密封结合层，使其与流孔中的气体隔离。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211700228U
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201921479845.8
申请日：2018-09-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 公开了一种结合层结构。本公开是将静电吸盘结合到温度控制基部的方法。根据实施方式，在包括静电吸盘的介电主体与温度控制基部之间形成结合层。流孔延伸穿过介电主体并且与温度控制基部中的流孔对准。结合层还配置有开口，开口与介电主体和温度控制基部中的孔对准。在一个方面中，可以将多孔插塞设置在流孔内以保护结合层。在另一方面中，将密封件设置在流孔内以密封结合层，使其与流孔中的气体隔离。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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