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发明公开
用于半导体整合的不敏感干法移除工艺无效

公开(公告)号：CN103843118A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280048556.7

申请日：2012-09-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·萨普瑞 , R·米宁尼 , J·唐

IPC: H01L21/311 , H01L21/31

CPC classification number: H01L29/401 , H01L21/31116 , H01L29/66545

Abstract: 揭露沉积介电层以及从半导体基板的表面蚀刻介电层的方法。方法可包括沉积第一介电层，第一介电层具有HF水溶液中的第一湿法蚀刻速率。方法亦可包括沉积第二介电层，第二介电层在沉积之后最初可为可流动的，且第二介电层可具有HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率，第二湿法蚀刻速率高于第一湿法蚀刻速率。方法可进一步包括用蚀刻剂气体混合物蚀刻第一介电层与第二介电层，其中第一介电层与第二介电层的蚀刻速率比率比HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率与第一湿法蚀刻速率的比率更接近1。

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