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公开(公告)号：CN111511503B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201980006652.7
申请日：2019-06-13
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种化学机械研磨的方法包含以下步骤：使得具有设置在半导体晶片上的导电层的基板与研磨垫接触；产生基板与研磨垫之间的相对运动；当导电层被研磨时，利用原位电磁感应监控系统来监控基板以产生取决于导电层的厚度的一序列信号值；基于一序列信号值来确定导电层的一序列厚度值；及至少部分地补偿半导体晶片的导电性对该信号值的贡献。
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公开(公告)号：CN110177649A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201780056471.6
申请日：2017-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 在基板的抛光期间，从第一原位监测系统接收第一信号，并从第二原位监测系统接收第二信号。基于第一信号来确定其中导电层被清除且基板的下层介电层的顶表面被暴露的清除时刻。确定经确定的清除时刻的第二信号的初始值。将偏移和初始值相加以生成阈值，且在第二信号与阈值相交时触发抛光终点。
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公开(公告)号：CN103430288B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280013237.2
申请日：2012-03-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32422 , H01L21/31122 , H01L21/32136
Abstract: 一种从包括含金属层与氧化硅层的基板选择性地蚀刻含金属膜的方法，包括以下步骤：使含氟气体流动到基板处理腔室的等离子体产生区域内；以及施加能量到所述含氟气体，以在所述等离子体产生区域中产生等离子体。所述等离子体包括氟自由基与氟离子。所述方法还包括以下步骤：过滤所述等离子体，以提供具有比氟离子更高浓度的氟自由基的反应性气体；以及使所述反应性气体流动到所述基板处理腔室的气体反应区域内。所述方法还包括以下步骤：使所述基板暴露于所述基板处理腔室的所述气体反应区域中的所述反应性气体。相较于所述反应性气体蚀刻所述氧化硅层而言，所述反应性气体以更高的蚀刻速率来蚀刻所述含金属层。
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公开(公告)号：CN103765562A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280041735.8
申请日：2012-08-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01L21/32137
Abstract: 本发明描述了一种抑制对图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的蚀刻速率的方法，且所述方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。相对于氮化硅及含硅与氮的其他材料，使用本方法可增加硅的蚀刻选择性。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氮材料上形成保护性固态副产物。第一阶段的等离子体流出物由前驱物（包括三氟化氮及氢气（H2））的组合的远端等离子体形成。远端等离子体蚀刻的第二阶段亦将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以选择性地移除缺乏保护性固态副产物的材料。第二阶段的等离子体流出物由含氟前驱物的远端等离子体形成。
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公开(公告)号：CN103748666A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280040443.2
申请日：2012-08-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32357 , H01L21/3065 , H01L21/32137
Abstract: 描述了一种在图案化异质结构上抑制对暴露的含硅与氧材料的蚀刻速率的方法，且该方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。使用本文的技术增加选择性的材料的范例包括氮化硅及硅。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氧材料上形成保护性固态副产物。第一阶段的等离子体流出物由前体组合的远端等离子体形成，前体组合包括含氮前体及含氢前体。远端等离子体蚀刻的第二阶段亦将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以选择性地移除缺乏保护性固态副产物的材料。第二阶段的等离子体流出物由含氟前体的远端等离子体形成。
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公开(公告)号：CN103733317A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280040226.3
申请日：2012-07-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 现描述一种蚀刻图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的方法，且该方法包括由含氟前驱物及含氧前驱物所形成的远端等离子体蚀刻。来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，等离子体流出物在基板处理区域中与暴露的含硅与氮材料区域反应。等离子体流出物与图案化异质结构反应，以自暴露的含硅与氮材料区域选择地移除含硅与氮材料，同时非常缓慢地移除其它暴露的材料。含硅与氮材料的选择性部分起因于位于远端等离子体与基板处理区域之间的离子抑制元件的存在。离子抑制元件减少或实质上消除抵达基板的带离子电荷物质的数量。可使用该方法以较氧化硅的移除速率快二十倍以上的速率选择地移除含硅与氮材料。
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公开(公告)号：CN114901427A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080087342.5
申请日：2020-11-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/26 , B24B37/30 , H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 化学机械抛光系统包括：压板，用以保持抛光垫；载体头，用以将基板保持抵靠抛光垫的抛光表面；以及控制器。抛光垫具有抛光控制沟槽。载体通过第一致动器而可跨抛光垫横向移动，并且通过第二致动器而可旋转。控制器使载体头的横向振动与载体头的旋转同步，使得在载体头的多个连续振动上，使得当基板的边缘部分的第一角度幅面在围绕载体头的旋转轴线的方位角位置处时，第一角度幅面覆盖抛光表面，并且当基板的边缘部分的第二角度幅面在方位角位置处时，第二角度幅面覆盖抛光控制沟槽。
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公开(公告)号：CN114434320A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111293339.1
申请日：2021-11-03
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容总体涉及基板边缘清洁和基板承载头间隙清洁的设备和方法。本公开内容涉及装载杯，所述装载杯包括环形基板站，所述环形基板站被配置为接收基板。环形基板站包围位于装载杯内的喷雾器。喷雾器包括一组激励流体喷嘴，所述一组激励流体喷嘴邻近在环形基板站与喷雾器之间的界面设置在喷雾器的上表面上。一组激励流体喷嘴被配置为相对于上表面以向上角度释放激励流体。
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公开(公告)号：CN112123196A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010973754.0
申请日：2015-07-10
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 化学机械研磨可用于“修整研磨”，其中在基板的前表面的受限区域上执行研磨。研磨垫与基板之间的接触区域可基本上比基板的半径表面小。在研磨期间，研磨垫可经历轨道运动。在轨道运动期间，可将研磨垫维持在固定的角定向上。接触区域可以是弧形。可通过从研磨垫的上部向下凸出的一个或更多个下部提供接触区域。可将研磨垫的周边部分垂直地固定至环形构件并且周边部分内的研磨垫的剩余部分可自由垂直。
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公开(公告)号：CN109715342A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057451.0
申请日：2017-08-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/005 , B24B49/10 , B24B49/12
CPC classification number: B24B37/005 , B24B53/017 , G01B7/10
Abstract: 一种用于化学机械抛光的装置包括：压板，所述压板具有表面以支撑抛光垫；承载头，所述承载头用以保持基板抵靠抛光垫的抛光表面；垫调节器所述垫调节器包括要抵靠抛光表面上被按压的导电体；原位抛光垫厚度监测系统，所述原位抛光垫厚度监测系统包括传感器，所述传感器设置在压板中用以产生通过抛光垫的磁场；以及控制器，所述控制器经配置以从监测系统接收信号并基于对应于传感器在垫调节器的导电体下方的时间的信号的一部分来生成抛光垫厚度的测量。
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