针对原位电磁感应监控的基板掺杂补偿

    公开(公告)号:CN111511503B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN201980006652.7

    申请日:2019-06-13

    Abstract: 一种化学机械研磨的方法包含以下步骤:使得具有设置在半导体晶片上的导电层的基板与研磨垫接触;产生基板与研磨垫之间的相对运动;当导电层被研磨时,利用原位电磁感应监控系统来监控基板以产生取决于导电层的厚度的一序列信号值;基于一序列信号值来确定导电层的一序列厚度值;及至少部分地补偿半导体晶片的导电性对该信号值的贡献。

    使用时间份额控制的化学机械抛光

    公开(公告)号:CN113710422A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202080027685.2

    申请日:2020-03-04

    Abstract: 一种化学机械抛光的方法,包括:围绕旋转轴旋转抛光垫;将基板定位成抵靠在抛光垫上,所述抛光垫具有与旋转轴同心的槽;使基板跨抛光垫横向振荡,使得在第一持续时间内基板的中央部分和基板的边缘部分定位在抛光垫的抛光表面之上;以及使基板基本上横向地保持为固定在一定位置,使得在第二持续时间内基板的中央部分定位在抛光垫的抛光表面之上,并且基板的边缘部分定位在槽之上。

    使用时间份额控制的化学机械抛光

    公开(公告)号:CN113710422B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202080027685.2

    申请日:2020-03-04

    Abstract: 一种化学机械抛光的方法,包括:围绕旋转轴旋转抛光垫;将基板定位成抵靠在抛光垫上,所述抛光垫具有与旋转轴同心的槽;使基板跨抛光垫横向振荡,使得在第一持续时间内基板的中央部分和基板的边缘部分定位在抛光垫的抛光表面之上;以及使基板基本上横向地保持为固定在一定位置,使得在第二持续时间内基板的中央部分定位在抛光垫的抛光表面之上,并且基板的边缘部分定位在槽之上。

    在抛光垫中使用沟槽的晶片边缘不对称校正

    公开(公告)号:CN114901427A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202080087342.5

    申请日:2020-11-19

    Abstract: 化学机械抛光系统包括:压板,用以保持抛光垫;载体头,用以将基板保持抵靠抛光垫的抛光表面;以及控制器。抛光垫具有抛光控制沟槽。载体通过第一致动器而可跨抛光垫横向移动,并且通过第二致动器而可旋转。控制器使载体头的横向振动与载体头的旋转同步,使得在载体头的多个连续振动上,使得当基板的边缘部分的第一角度幅面在围绕载体头的旋转轴线的方位角位置处时,第一角度幅面覆盖抛光表面,并且当基板的边缘部分的第二角度幅面在方位角位置处时,第二角度幅面覆盖抛光控制沟槽。

    在抛光垫中使用沟槽的晶片边缘不对称校正

    公开(公告)号:CN114901427B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202080087342.5

    申请日:2020-11-19

    Abstract: 化学机械抛光系统包括:压板,用以保持抛光垫;载体头,用以将基板保持抵靠抛光垫的抛光表面;以及控制器。抛光垫具有抛光控制沟槽。载体通过第一致动器而可跨抛光垫横向移动,并且通过第二致动器而可旋转。控制器使载体头的横向振动与载体头的旋转同步,使得在载体头的多个连续振动上,使得当基板的边缘部分的第一角度幅面在围绕载体头的旋转轴线的方位角位置处时,第一角度幅面覆盖抛光表面,并且当基板的边缘部分的第二角度幅面在方位角位置处时,第二角度幅面覆盖抛光控制沟槽。

    针对原位电磁感应监控的基板掺杂补偿

    公开(公告)号:CN111511503A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN201980006652.7

    申请日:2019-06-13

    Abstract: 一种化学机械研磨的方法包含以下步骤:使得具有设置在半导体晶片上的导电层的基板与研磨垫接触;产生基板与研磨垫之间的相对运动;当导电层被研磨时,利用原位电磁感应监控系统来监控基板以产生取决于导电层的厚度的一序列信号值;基于一序列信号值来确定导电层的一序列厚度值;及至少部分地补偿半导体晶片的导电性对该信号值的贡献。

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