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公开(公告)号：CN118927155A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410966129.1
申请日：2020-08-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B49/14 , B24B37/015 , B24B57/02
Abstract: 本申请公开了在配给下通过混合的浆料温度控制。一种化学机械抛光系统包括：平台，所述平台用于支撑具有抛光表面的抛光垫；加热流体的源；储藏室，所述储藏室用于保持抛光液体；以及配给器，所述配给器具有悬吊在平台之上的一个或多个孔，以将抛光液体引导至抛光表面上，其中加热流体的源耦合至配给器，并且配置成在抛光液体离开储藏室之后并且在抛光液体被配给至抛光表面上之前将加热流体传输至抛光液体中以加热抛光液体。
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公开(公告)号：CN108326730B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201810059565.5
申请日：2018-01-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开涉及用于CMP应用的薄的塑料抛光用具。本公开内容提供了一种用于抛光基板的方法和设备，包括抛光用具，所述抛光用具包括聚合物片材，所述聚合物片材具有凸起表面纹理，所述凸起表面纹理形成在所述聚合物片材的表面上。根据本公开内容的一个或多个实现方式，已发展出一种不需要研磨衬垫修整的改进的抛光用具。在本公开内容的一些实现方式中，所述改进的抛光用具包括聚合物片材，所述聚合物片材具有抛光表面，所述抛光表面带有形成在所述抛光表面中的凸起表面纹理或“微观特征”和/或多个沟槽或“宏观特征”。在一些实现方式中，所述凸起表面纹理是在抛光系统中安装并且使用所述改进的抛光用具之前被压印、蚀刻、机器加工或以其他方式形成在所述抛光表面中。在一个实现方式中，所述凸起特征具有在抛光期间从所述基板移除的特征的一个量级内的高度。
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公开(公告)号：CN103733317B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280040226.3
申请日：2012-07-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 现描述一种蚀刻图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的方法，且该方法包括由含氟前驱物及含氧前驱物所形成的远端等离子体蚀刻。来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，等离子体流出物在基板处理区域中与暴露的含硅与氮材料区域反应。等离子体流出物与图案化异质结构反应，以自暴露的含硅与氮材料区域选择地移除含硅与氮材料，同时非常缓慢地移除其它暴露的材料。含硅与氮材料的选择性部分起因于位于远端等离子体与基板处理区域之间的离子抑制元件的存在。离子抑制元件减少或实质上消除抵达基板的带离子电荷物质的数量。可使用该方法以较氧化硅的移除速率快二十倍以上的速率选择地移除含硅与氮材料。
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公开(公告)号：CN102893376A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180007351.X
申请日：2011-05-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , B24B37/044 , C09G1/04 , H01L21/7684
Abstract: 本文所述实施例关于自基板移除材料。更明确地，本文所述实施例关于经由化学机械研磨处理研磨或平坦化基板。一实施例中，提供基板的化学机械研磨(CMP)方法。方法包括将基板暴露于研磨液，基板上形成有导电材料层，且研磨液包括磷酸、一或更多螯合剂、一或更多腐蚀抑制剂与一或更多氧化剂；在导电材料层上形成钝化层；在基板与研磨垫之间提供相对移动，并移除至少一部分的钝化层以暴露一部分的下方导电材料层；及移除一部分的暴露导电材料层。
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公开(公告)号：CN114173991A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080055434.5
申请日：2020-08-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/00 , B24B37/015 , B24B37/04 , B24B37/34 , B24B55/02
Abstract: 一种化学机械抛光系统，包括：工作台，所述工作台用于支撑具有抛光表面的抛光垫；冷却剂源；配给器，所述配给器具有悬吊在工作台之上的一个或多个孔，以将冷却剂从冷却剂源引导至抛光垫的抛光表面上；以及控制器，所述控制器耦合至冷却剂源，并且配置成在抛光操作的选定步骤期间，使冷却剂源通过喷嘴将冷却剂传输至抛光表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108326730A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810059565.5
申请日：2018-01-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开涉及用于CMP应用的薄的塑料抛光用具。本公开内容提供了一种用于抛光基板的方法和设备，包括抛光用具，所述抛光用具包括聚合物片材，所述聚合物片材具有凸起表面纹理，所述凸起表面纹理形成在所述聚合物片材的表面上。根据本公开内容的一个或多个实现方式，已发展出一种不需要研磨衬垫修整的改进的抛光用具。在本公开内容的一些实现方式中，所述改进的抛光用具包括聚合物片材，所述聚合物片材具有抛光表面，所述抛光表面带有形成在所述抛光表面中的凸起表面纹理或“微观特征”和/或多个沟槽或“宏观特征”。在一些实现方式中，所述凸起表面纹理是在抛光系统中安装并且使用所述改进的抛光用具之前被压印、蚀刻、机器加工或以其他方式形成在所述抛光表面中。在一个实现方式中，所述凸起特征具有在抛光期间从所述基板移除的特征的一个量级内的高度。
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公开(公告)号：CN103765562A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280041735.8
申请日：2012-08-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01L21/32137
Abstract: 本发明描述了一种抑制对图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的蚀刻速率的方法，且所述方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。相对于氮化硅及含硅与氮的其他材料，使用本方法可增加硅的蚀刻选择性。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氮材料上形成保护性固态副产物。第一阶段的等离子体流出物由前驱物（包括三氟化氮及氢气（H2））的组合的远端等离子体形成。远端等离子体蚀刻的第二阶段亦将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以选择性地移除缺乏保护性固态副产物的材料。第二阶段的等离子体流出物由含氟前驱物的远端等离子体形成。
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公开(公告)号：CN103748666A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280040443.2
申请日：2012-08-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32357 , H01L21/3065 , H01L21/32137
Abstract: 描述了一种在图案化异质结构上抑制对暴露的含硅与氧材料的蚀刻速率的方法，且该方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。使用本文的技术增加选择性的材料的范例包括氮化硅及硅。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氧材料上形成保护性固态副产物。第一阶段的等离子体流出物由前体组合的远端等离子体形成，前体组合包括含氮前体及含氢前体。远端等离子体蚀刻的第二阶段亦将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以选择性地移除缺乏保护性固态副产物的材料。第二阶段的等离子体流出物由含氟前体的远端等离子体形成。
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公开(公告)号：CN103733317A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280040226.3
申请日：2012-07-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 现描述一种蚀刻图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的方法，且该方法包括由含氟前驱物及含氧前驱物所形成的远端等离子体蚀刻。来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，等离子体流出物在基板处理区域中与暴露的含硅与氮材料区域反应。等离子体流出物与图案化异质结构反应，以自暴露的含硅与氮材料区域选择地移除含硅与氮材料，同时非常缓慢地移除其它暴露的材料。含硅与氮材料的选择性部分起因于位于远端等离子体与基板处理区域之间的离子抑制元件的存在。离子抑制元件减少或实质上消除抵达基板的带离子电荷物质的数量。可使用该方法以较氧化硅的移除速率快二十倍以上的速率选择地移除含硅与氮材料。
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公开(公告)号：CN114206552B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202080056668.1
申请日：2020-08-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/015 , B24B49/14 , B24B57/02
Abstract: 一种化学机械抛光系统包括：平台，所述平台用于支撑具有抛光表面的抛光垫；加热流体的源；储藏室，所述储藏室用于保持抛光液体；以及配给器，所述配给器具有悬吊在平台之上的一个或多个孔，以将抛光液体引导至抛光表面上，其中加热流体的源耦合至配给器，并且配置成在抛光液体离开储藏室之后并且在抛光液体被配给至抛光表面上之前将加热流体传输至抛光液体中以加热抛光液体。
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