监测面朝上抛光的厚度
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119546419A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202380052712.5

    申请日:2023-07-13

    Abstract: 一种化学机械抛光系统包括:支撑件,被配置为面朝上固持基板;抛光制品,具有与基板的暴露表面相比较小的抛光表面;端口,用于分配抛光液体;一个或多个致动器,用于使抛光表面与基板的暴露表面的第一部分接触并且产生基板与抛光垫以及光学透射聚合物窗之间的相对运动;原位光学监测系统;以及控制器,被配置为从光学原位监测系统接收信号并且基于信号来修改抛光参数。光学监测系统包括光源和检测器,原位光学监测系统被配置为引导来自支撑件上方的光束以冲击基板的暴露表面的非重叠第二部分。

    铜晶圆研磨的化学平坦化

    公开(公告)号:CN102893376A

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:CN201180007351.X

    申请日:2011-05-11

    CPC classification number: H01L21/3212 B24B37/044 C09G1/04 H01L21/7684

    Abstract: 本文所述实施例关于自基板移除材料。更明确地,本文所述实施例关于经由化学机械研磨处理研磨或平坦化基板。一实施例中,提供基板的化学机械研磨(CMP)方法。方法包括将基板暴露于研磨液,基板上形成有导电材料层,且研磨液包括磷酸、一或更多螯合剂、一或更多腐蚀抑制剂与一或更多氧化剂;在导电材料层上形成钝化层;在基板与研磨垫之间提供相对移动,并移除至少一部分的钝化层以暴露一部分的下方导电材料层;及移除一部分的暴露导电材料层。

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