公开(公告)号：CN110998818B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201880051161.X

申请日：2018-07-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·杨 ,  陈天发 ,  P·希尔曼 ,  L·朱 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  C·斯纳迪加尔 ,  M·夏

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 本技术的实施例可包括一种蚀刻方法。该方法可包括在腔室的第一部分中混合等离子体流出物与气体以形成第一混合物。该方法也可包括在腔室的第二部分中使第一混合物流到基板。第一部分和第二部分可包括镀镍材料。该方法可进一步包括使第一混合物与基板反应以相对于第二层选择性蚀刻第一层。此外，该方法可包括形成第二混合物，该第二混合物包括来自第一混合物与基板反应的产物。

公开(公告)号：CN110998818A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880051161.X

申请日：2018-07-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·杨 ,  陈天发 ,  P·希尔曼 ,  L·朱 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  C·斯纳迪加尔 ,  M·夏

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 本技术的实施例可包括一种蚀刻方法。该方法可包括在腔室的第一部分中混合等离子体流出物与气体以形成第一混合物。该方法也可包括在腔室的第二部分中使第一混合物流到基板。第一部分和第二部分可包括镀镍材料。该方法可进一步包括使第一混合物与基板反应以相对于第二层选择性蚀刻第一层。此外，该方法可包括形成第二混合物，该第二混合物包括来自第一混合物与基板反应的产物。