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公开(公告)号：CN115763205A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211420205.6
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/305 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。
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公开(公告)号：CN108962786B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201810474404.2
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 公开了多区半导体基板支撑件。示例性支撑组件可包括顶部圆盘和与顶部圆盘耦合的背托板。支撑组件可包括与背托板耦合的冷却板。支撑组件可包括耦合在冷却板和背托板之间的加热器。支撑组件还可包括围绕背托板的外部与背托板耦合的背板。背板可至少部分地限定一容积，并且加热器和冷却板可被容纳在该容积内。
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公开(公告)号：CN110998818B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201880051161.X
申请日：2018-07-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 本技术的实施例可包括一种蚀刻方法。该方法可包括在腔室的第一部分中混合等离子体流出物与气体以形成第一混合物。该方法也可包括在腔室的第二部分中使第一混合物流到基板。第一部分和第二部分可包括镀镍材料。该方法可进一步包括使第一混合物与基板反应以相对于第二层选择性蚀刻第一层。此外，该方法可包括形成第二混合物，该第二混合物包括来自第一混合物与基板反应的产物。
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公开(公告)号：CN108962715B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201810472445.8
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110998818A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051161.X
申请日：2018-07-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 本技术的实施例可包括一种蚀刻方法。该方法可包括在腔室的第一部分中混合等离子体流出物与气体以形成第一混合物。该方法也可包括在腔室的第二部分中使第一混合物流到基板。第一部分和第二部分可包括镀镍材料。该方法可进一步包括使第一混合物与基板反应以相对于第二层选择性蚀刻第一层。此外，该方法可包括形成第二混合物，该第二混合物包括来自第一混合物与基板反应的产物。
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公开(公告)号：CN108962786A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810474404.2
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 公开了多区半导体基板支撑件。示例性支撑组件可包括顶部圆盘和与顶部圆盘耦合的背托板。支撑组件可包括与背托板耦合的冷却板。支撑组件可包括耦合在冷却板和背托板之间的加热器。支撑组件还可包括围绕背托板的外部与背托板耦合的背板。背板可至少部分地限定一容积，并且加热器和冷却板可被容纳在该容积内。
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公开(公告)号：CN108962715A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810472445.8
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。
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公开(公告)号：CN209461410U
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201820734830.0
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了半导体处理系统。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209312721U
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201820739096.7
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 公开了基板支撑组件。示例性支撑组件可包括顶部圆盘和与顶部圆盘耦合的背托板。支撑组件可包括与背托板耦合的冷却板。支撑组件可包括耦合在冷却板和背托板之间的加热器。支撑组件还可包括围绕背托板的外部与背托板耦合的背板。背板可至少部分地限定一容积，并且加热器和冷却板可被容纳在该容积内。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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