-
公开(公告)号：CN111799143B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201910280877.3
申请日：2019-04-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/67
摘要： 公开了半导体处理腔室多阶段混合设备。示例性的半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括耦接在所述远程等离子体单元和所述处理腔室之间的混合歧管。所述混合歧管可以由第一端部和与所述第一端部相对的第二端部表征，并且可以在所述第二端部处与所述处理腔室耦接。所述混合歧管可以限定穿过所述混合歧管的中央通道，并且可以沿着所述混合歧管的外部限定端口。所述端口可以与限定在所述混合歧管的所述第一端部内的第一沟槽流体耦接。所述第一沟槽可以由在第一内侧壁处的内半径和外半径表征，并且所述第一沟槽可以提供通过所述第一内侧壁到所述中央通道的流体通路。
-
公开(公告)号：CN108962715B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201810472445.8
申请日：2018-05-17
申请人： 应用材料公司
摘要： 公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。
-
公开(公告)号：CN112088427A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980030055.8
申请日：2019-05-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本文中所述的实施方式提供了一种实现跨工件表面的温度均匀性的基板支撑组件。在一个实施例中，提供了一种基板支撑组件，所述基板支撑组件包括主体。所述主体由陶瓷制作。所述主体具有工件支撑表面及安装表面。所述工件支撑表面及粘合吸盘主体表面具有小于10微米的平坦度。第一加热器被设置在底表面上在所述主体外部。粘合层被设置在所述第一加热器之上，其中所述粘合层是电绝缘的，且冷却基部具有由金属制作的主体。所述冷却主体具有上冷却主体表面及下冷却主体表面，其中所述上冷却主体表面的平坦度小于约10微米。
-
公开(公告)号：CN111799143A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201910280877.3
申请日：2019-04-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/67
摘要： 公开了半导体处理腔室多阶段混合设备。示例性的半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括耦接在所述远程等离子体单元和所述处理腔室之间的混合歧管。所述混合歧管可以由第一端部和与所述第一端部相对的第二端部表征，并且可以在所述第二端部处与所述处理腔室耦接。所述混合歧管可以限定穿过所述混合歧管的中央通道，并且可以沿着所述混合歧管的外部限定端口。所述端口可以与限定在所述混合歧管的所述第一端部内的第一沟槽流体耦接。所述第一沟槽可以由在第一内侧壁处的内半径和外半径表征，并且所述第一沟槽可以提供通过所述第一内侧壁到所述中央通道的流体通路。
-
公开(公告)号：CN108962786A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810474404.2
申请日：2018-05-17
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
摘要： 公开了多区半导体基板支撑件。示例性支撑组件可包括顶部圆盘和与顶部圆盘耦合的背托板。支撑组件可包括与背托板耦合的冷却板。支撑组件可包括耦合在冷却板和背托板之间的加热器。支撑组件还可包括围绕背托板的外部与背托板耦合的背板。背板可至少部分地限定一容积，并且加热器和冷却板可被容纳在该容积内。
-
公开(公告)号：CN108962715A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810472445.8
申请日：2018-05-17
申请人： 应用材料公司
摘要： 公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。
-
公开(公告)号：CN109155242B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201780031024.5
申请日：2017-04-20
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/687
摘要： 于此所公开的实施例通常关于用于提供处理气体到半导体处理腔室中的改进的均匀分配的气体分配组件。气体分配组件包括气体分配板、区隔板和双区喷头。气体分配组件提供独立的中心到边缘的流动地带性、独立的两种前驱物输送、经由混合歧管的两种前驱物混合及气体分配板中的递归质量流量分配。
-
公开(公告)号：CN109594061B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201811492381.4
申请日：2017-04-20
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 于此所公开的实施例通常关于用于提供处理气体到半导体处理腔室中的改进的均匀分配的气体分配组件。气体分配组件包括气体分配板、区隔板和双区喷头。气体分配组件提供独立的中心到边缘的流动地带性、独立的两种前驱物输送、经由混合歧管的两种前驱物混合及气体分配板中的递归质量流量分配。
-
公开(公告)号：CN115763205A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211420205.6
申请日：2018-05-17
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/305 , H01L21/3065 , H01L21/67
摘要： 公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。
-
公开(公告)号：CN109594061A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811492381.4
申请日：2017-04-20
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 于此所公开的实施例通常关于用于提供处理气体到半导体处理腔室中的改进的均匀分配的气体分配组件。气体分配组件包括气体分配板、区隔板和双区喷头。气体分配组件提供独立的中心到边缘的流动地带性、独立的两种前驱物输送、经由混合歧管的两种前驱物混合及气体分配板中的递归质量流量分配。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
15 条记录 (耗时 0.038 秒)
