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公开(公告)号：CN108962786B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201810474404.2
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 公开了多区半导体基板支撑件。示例性支撑组件可包括顶部圆盘和与顶部圆盘耦合的背托板。支撑组件可包括与背托板耦合的冷却板。支撑组件可包括耦合在冷却板和背托板之间的加热器。支撑组件还可包括围绕背托板的外部与背托板耦合的背板。背板可至少部分地限定一容积，并且加热器和冷却板可被容纳在该容积内。
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公开(公告)号：CN109155250B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201780030506.9
申请日：2017-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱限定了至此半导体处理腔室的入口。此腔室可包括间隔件，该间隔件由与气箱耦接的第一表面表征，及此间隔件可限定在第一表面的内部部分上的凹进壁架。此腔室可包括安装在凹进壁架上的支架，该凹进壁架沿间隔件的第二表面延伸。腔室还可包括气体分配板，该气体分配板安装在支架上。
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公开(公告)号：CN108962715B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201810472445.8
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。
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公开(公告)号：CN109155251B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201780030527.0
申请日：2017-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46 , H01L21/687
Abstract: 半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱提供至所述半导体处理腔室的入口。所述腔室可包括第一环形支撑件，在第一环形支撑件的第一表面处接触气箱，其中第一环形支撑件和气箱各自界定第一通道的一部分，第一通道位于气箱与第一环形支撑件的界面处；以及第一气体分配板，安装在第一通道内。腔室还可包括第二环形支撑件，在第一环形支撑件的第二表面处接触第一环形支撑件，第一环形支撑件的第二表面在第一环形支撑件的第一表面的对面，其中第二环形支撑件至少部分地界定第二通道，第二通道位于半导体处理腔室的内部区域周围；以及第二气体分配板，安装在第二通道内，其中第一气体分配板和第二气体分配板包含石英。
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公开(公告)号：CN109155251A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780030527.0
申请日：2017-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46 , H01L21/687
Abstract: 半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱提供至所述半导体处理腔室的入口。所述腔室可包括第一环形支撑件，在第一环形支撑件的第一表面处接触气箱，其中第一环形支撑件和气箱各自界定第一通道的一部分，第一通道位于气箱与第一环形支撑件的界面处；以及第一气体分配板，安装在第一通道内。腔室还可包括第二环形支撑件，在第一环形支撑件的第二表面处接触第一环形支撑件，第一环形支撑件的第二表面在第一环形支撑件的第一表面的对面，其中第二环形支撑件至少部分地界定第二通道，第二通道位于半导体处理腔室的内部区域周围；以及第二气体分配板，安装在第二通道内，其中第一气体分配板和第二气体分配板包含石英。
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公开(公告)号：CN109155250A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780030506.9
申请日：2017-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱限定了至此半导体处理腔室的入口。此腔室可包括间隔件，该间隔件由与气箱耦接的第一表面表征，及此间隔件可限定在第一表面的内部部分上的凹进壁架。此腔室可包括安装在凹进壁架上的支架，该凹进壁架沿间隔件的第二表面延伸。腔室还可包括气体分配板，该气体分配板安装在支架上。
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公开(公告)号：CN108962786A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810474404.2
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 公开了多区半导体基板支撑件。示例性支撑组件可包括顶部圆盘和与顶部圆盘耦合的背托板。支撑组件可包括与背托板耦合的冷却板。支撑组件可包括耦合在冷却板和背托板之间的加热器。支撑组件还可包括围绕背托板的外部与背托板耦合的背板。背板可至少部分地限定一容积，并且加热器和冷却板可被容纳在该容积内。
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公开(公告)号：CN108962715A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810472445.8
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。
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公开(公告)号：CN119343739A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202280096986.X
申请日：2022-10-10
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 用于产生蚀刻剂的远程等离子体源(RPS)利用对称的中空阴极腔来增加蚀刻剂速率。RPS包括：具有第一中空腔的上电极，所述第一中空腔被配置为在所述第一中空腔内引起中空阴极效应；具有第二中空腔的下电极，所述第二中空腔被配置为在所述第二中空腔内引起中空阴极效应，其中所述第一中空腔与所述第二中空腔是对称的；第一间隙，所述第一间隙定位在所述上电极与所述下电极之间且将所述上电极与所述下电极电性分离；以及环形介电盖，所述环形介电盖直接接触所述第一间隙中的所述下电极并在所述环形介电盖的最上表面与所述上电极的最下表面之间形成第二间隙。所述环形介电盖填充所述第一间隙的高度的约50％至约95％。
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公开(公告)号：CN116913808A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310781576.5
申请日：2017-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱限定了至此半导体处理腔室的入口。此腔室可包括间隔件，该间隔件由与气箱耦接的第一表面表征，及此间隔件可限定在第一表面的内部部分上的凹进壁架。此腔室可包括安装在凹进壁架上的支架，该凹进壁架沿间隔件的第二表面延伸。腔室还可包括气体分配板，该气体分配板安装在支架上。
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