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公开(公告)号：CN115803845A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180043471.9
申请日：2021-02-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法和装置。例如，一种用于处理基板的处理腔室，包括腔室主体，腔室主体限定处理体积；射频(RF)功率源，射频(RF)功率源被配置成将RF能量传输至用于处理基板的处理空间；基板支撑件，所述基板支撑件包含电极；AC电源，AC电源被配置成将功率供应至处理腔室；RF滤波器电路，RF滤波器电路连接在电极与AC电源之间；以及控制器，控制器被配置成在RF滤波器电路处监测在操作期间由RF功率源间接感应至电极中的RF电压，且被配置成基于所监测的RF电压确定在处理体积中的处理状态。
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公开(公告)号：CN119343739A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202280096986.X
申请日：2022-10-10
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 用于产生蚀刻剂的远程等离子体源(RPS)利用对称的中空阴极腔来增加蚀刻剂速率。RPS包括：具有第一中空腔的上电极，所述第一中空腔被配置为在所述第一中空腔内引起中空阴极效应；具有第二中空腔的下电极，所述第二中空腔被配置为在所述第二中空腔内引起中空阴极效应，其中所述第一中空腔与所述第二中空腔是对称的；第一间隙，所述第一间隙定位在所述上电极与所述下电极之间且将所述上电极与所述下电极电性分离；以及环形介电盖，所述环形介电盖直接接触所述第一间隙中的所述下电极并在所述环形介电盖的最上表面与所述上电极的最下表面之间形成第二间隙。所述环形介电盖填充所述第一间隙的高度的约50％至约95％。
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公开(公告)号：CN107210250B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201680008411.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 一种晶片夹盘组件包括吸盘、轴和基底。绝缘材料界定吸盘的顶表面；加热器元件嵌入在绝缘材料内；并且导电板位于绝缘材料下方。轴包括：与板耦接的外壳；以及用于加热器元件和电极的电连接器。导电基底外壳与轴外壳耦接；并且连接器通过在基底外壳内的端子块。一种等离子体处理的方法，包括以下步骤：将工件装载至具有绝缘顶表面的夹盘上；提供跨顶表面内的两个电极的DC电压差分；通过使电流通过加热器元件来加热夹盘；在环绕夹盘的腔室中提供工艺流体；以及在夹盘下方的导电板与腔室的一个或多个壁之间提供RF电压。
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公开(公告)号：CN111886670A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980019723.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了用于产生等离子体产物的示例性磁感应等离子体系统。磁感应等离子体系统可包括第一等离子体源，第一等离子体源包括多个第一部分和多个第二部分，多个第一部分和多个第二部分以交替的方式布置且彼此流体地耦合，使得在第一等离子体源内产生的等离子体产物的至少一部分可循环通过第一等离子体源内的多个第一部分的至少一个和第一等离子体源内的多个第二部分的至少一个。多个第二部分的每一个可包括电介质材料。系统可进一步包括多个第一磁性元件，多个第一磁性元件的每一个可限定封闭回路。多个第二部分的每一个可限定多个凹槽，多个凹槽用于在其中接收多个第一磁性元件的一个。
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公开(公告)号：CN107210250A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008411.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/3065 , H01L21/67103
Abstract: 一种晶片夹盘组件包括吸盘、轴和基底。绝缘材料界定吸盘的顶表面；加热器元件嵌入在绝缘材料内；并且导电板位于绝缘材料下方。轴包括：与板耦接的外壳；以及用于加热器元件和电极的电连接器。导电基底外壳与轴外壳耦接；并且连接器通过在基底外壳内的端子块。一种等离子体处理的方法，包括以下步骤：将工件装载至具有绝缘顶表面的夹盘上；提供跨顶表面内的两个电极的DC电压差分；通过使电流通过加热器元件来加热夹盘；在环绕夹盘的腔室中提供工艺流体；以及在夹盘下方的导电板与腔室的一个或多个壁之间提供RF电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115398594A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180027331.2
申请日：2021-04-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 用于减少远程等离子体源(RPS)中的粒子产生的方法和设备，包括RPS，RPS具有第一等离子体源，第一等离子体源具有第一电极和第二电极，其中第一电极和第二电极关于中空腔对称，第一电极和第二电极经配置以在中空腔内引发中空阴极效应，并且其中RPS经配置以提供自由基或离子进入处理空间内；以及射频(RF)功率源，射频(RF)功率源经配置以在第一电极和第二电极上提供对称驱动波形，以产生RPS的阳极周期和阴极周期，其中阳极周期和阴极周期在中空阴极效应模式中操作。
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公开(公告)号：CN110494967A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880024330.0
申请日：2018-04-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66 , G01N21/73 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本申请描述了用于使用远程等离子体来蚀刻基板的方法和系统。远程激发的蚀刻剂被形成在远程等离子体中，并通过喷头流入基板处理区域以蚀刻基板。从基板正上方的基板处理区域获取光学发射光谱。光学发射光谱可用于确定蚀刻的终点，确定蚀刻速率或以其他方式表征蚀刻工艺。弱等离子体可存在于基板处理区域中。弱等离子体可能相较于远程等离子体具有低得多的强度。在蚀刻工艺中于基板上方不使用偏压等离子体的情况下，可以在靠近基板处理区域一侧所设置的视口附近点燃弱等离子体以表征蚀刻剂。
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公开(公告)号：CN111886670B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201980019723.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了用于产生等离子体产物的示例性磁感应等离子体系统。磁感应等离子体系统可包括第一等离子体源，第一等离子体源包括多个第一部分和多个第二部分，多个第一部分和多个第二部分以交替的方式布置且彼此流体地耦合，使得在第一等离子体源内产生的等离子体产物的至少一部分可循环通过第一等离子体源内的多个第一部分的至少一个和第一等离子体源内的多个第二部分的至少一个。多个第二部分的每一个可包括电介质材料。系统可进一步包括多个第一磁性元件，多个第一磁性元件的每一个可限定封闭回路。多个第二部分的每一个可限定多个凹槽，多个凹槽用于在其中接收多个第一磁性元件的一个。
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公开(公告)号：CN110494967B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201880024330.0
申请日：2018-04-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66 , G01N21/73 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本申请描述了用于使用远程等离子体来蚀刻基板的方法和系统。远程激发的蚀刻剂被形成在远程等离子体中，并通过喷头流入基板处理区域以蚀刻基板。从基板正上方的基板处理区域获取光学发射光谱。光学发射光谱可用于确定蚀刻的终点，确定蚀刻速率或以其他方式表征蚀刻工艺。弱等离子体可存在于基板处理区域中。弱等离子体可能相较于远程等离子体具有低得多的强度。在蚀刻工艺中于基板上方不使用偏压等离子体的情况下，可以在靠近基板处理区域一侧所设置的视口附近点燃弱等离子体以表征蚀刻剂。
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公开(公告)号：CN107533945B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201680008395.7
申请日：2016-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 晶片夹具组件包括圆盘、杆、及基座。该圆盘包括电气绝缘材料，该电气绝缘材料界定该圆盘的顶表面，多个电极嵌入在该电气绝缘材料内。该圆盘也包括内圆盘元件，该内圆盘元件形成热交换流体的一个或多个通道，且与该电气绝缘材料热连通，且导电板材被设置与该内圆盘元件邻近。该杆包括与该板材及多个连接器电性耦接的导电杆壳体，且包括多个连接器，该多个连接器包括该电极的电气连接器。该基座包括与该杆壳体电性耦接的导电基座壳体、被设置在该基座壳体内的电气绝缘终端块，该多个连接器穿行通过该终端块。
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