公开(公告)号：CN111886670A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980019723.7

申请日：2019-02-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·S·周 ,  S·郑 ,  J·金 ,  小林悟 ,  K·D·沙茨 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了用于产生等离子体产物的示例性磁感应等离子体系统。磁感应等离子体系统可包括第一等离子体源，第一等离子体源包括多个第一部分和多个第二部分，多个第一部分和多个第二部分以交替的方式布置且彼此流体地耦合，使得在第一等离子体源内产生的等离子体产物的至少一部分可循环通过第一等离子体源内的多个第一部分的至少一个和第一等离子体源内的多个第二部分的至少一个。多个第二部分的每一个可包括电介质材料。系统可进一步包括多个第一磁性元件，多个第一磁性元件的每一个可限定封闭回路。多个第二部分的每一个可限定多个凹槽，多个凹槽用于在其中接收多个第一磁性元件的一个。

公开(公告)号：CN110326082A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201880012847.8

申请日：2018-01-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  菅井英夫 ,  N·卡尔宁 ,  S·朴 ,  T·特兰 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种系统包括工艺腔室、界定波导空腔的壳体、和在壳体内的第一导电板。第一导电板面向工艺腔室。所述系统还包括至少可调整第一导电板的位置的一个或多个调整装置、以及在波导空腔与工艺腔室之间的与壳体耦接的第二导电板。电磁辐射可经由第二导电板中的孔从波导空腔传播到工艺腔室中。所述系统还包括封闭工艺腔室而与波导空腔隔开的介电板、以及将电磁辐射发送到波导空腔中的一个或多个电子设备组。当至少一种工艺气体在腔室内且电磁辐射从波导空腔传播到工艺腔室中时，形成等离子体。

公开(公告)号：CN107430978B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201680019383.4

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  菅井英夫 ,  T·特兰 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32

Abstract: 针对空腔的任何谐振模式TEmnl或TMmnl建立旋转微波，其中用户自由地选择模式索引m、n和l的值。旋转频率等于操作微波频率的快速旋转通过将两个微波输入端口P与Q之间的时域相位差和方位角Δθ设定成m、n和l的函数来完成。频率Ωα(典型地1～1000Hz)的慢速旋转通过将正交输入系中的双场输入α cosΩαt和+α sinΩαt变换成由两个微波端口P与Q之间的角度Δθ界定的斜角系来建立。

公开(公告)号：CN108109897A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201810048710.X

申请日：2014-09-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  K·H·弗劳德 ,  塙广二 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基 ,  J·A·肯尼

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  H02K7/14

Abstract: 本公开涉及等离子体处理系统。一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。

公开(公告)号：CN107430978A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680019383.4

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  菅井英夫 ,  T·特兰 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32

Abstract: 针对空腔的任何谐振模式TEmnl或TMmnl建立旋转微波，其中用户自由地选择模式索引m、n和l的值。旋转频率等于操作微波频率的快速旋转通过将两个微波输入端口P与Q之间的时域相位差 和方位角Δθ设定成m、n和l的函数来完成。频率Ωα(典型地1～1000Hz)的慢速旋转通过将正交输入系中的双场输入αcosΩαt和+αsinΩαt变换成由两个微波端口P与Q之间的角度Δθ界定的斜角系来建立。

公开(公告)号：CN111403255A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010161061.1

申请日：2016-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  菅井英夫 ,  S·朴 ,  K·拉马斯瓦米 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32

Abstract: 涉及具有以直接上转换对微波场的旋转频率进行的数字控制的等离子体反应器。一种用于处理工件的等离子体反应器具有微波源与用户接口，微波源具有使用直接数字上转换的数字同步的旋转频率，用户接口用于控制该旋转频率。

公开(公告)号：CN105580128B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201480053119.3

申请日：2014-09-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  K·H·弗劳德 ,  塙广二 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基 ,  J·A·肯尼

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。

公开(公告)号：CN112955997B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201980071231.2

申请日：2019-10-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李晓璞 ,  K·贝拉 ,  爱德华四世·P·哈蒙德 ,  白宗薰 ,  A·K·班塞尔 ,  马骏 ,  小林悟

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

Abstract: 本文中所述的实施例涉及用于工艺腔室中的射频(RF)相位控制的装置及技术。工艺容积通过面板电极及支撑底座界定在工艺腔室中。接地筒与工艺容积相对地围绕支撑底座设置在工艺腔室内。接地筒实质填充支撑底座下方除工艺容积以外的容积。相位调谐器电路耦接到设置在支撑底座中的RF网格、及面板电极。调谐器电路调整面板电极的相位与RF网格的相位之间的相位差。

公开(公告)号：CN111373504B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN201980005856.9

申请日：2019-03-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  W·田 ,  S·拉乌夫 ,  J·金 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了用于在工艺腔室中的离子轰击工艺期间减少喷头上的粒子产生的方法、系统及设备。将第一RF信号及第二RF信号从RF发生器供应到嵌入工艺腔室中的基板支撑件中的电极。响应于对第一RF振幅、第二RF振幅、第一RF相位及第二RF相位的测量，相对于第一RF信号调节第二RF信号。最大化在基板上的离子轰击并且最小化在喷头上产生的粒子的数量。本文描述的方法及系统提供了改进的离子蚀刻特性，同时减少从喷头产生的碎屑粒子的量。

公开(公告)号：CN110326082B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201880012847.8

申请日：2018-01-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  菅井英夫 ,  N·卡尔宁 ,  S·朴 ,  T·特兰 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及用于等离子体均匀度的径向和方位控制的系统和方法。一种系统包括工艺腔室、界定波导空腔的壳体、和在壳体内的第一导电板。第一导电板面向工艺腔室。所述系统还包括至少可调整第一导电板的位置的一个或多个调整装置、以及在波导空腔与工艺腔室之间的与壳体耦接的第二导电板。电磁辐射可经由第二导电板中的孔从波导空腔传播到工艺腔室中。所述系统还包括封闭工艺腔室而与波导空腔隔开的介电板、以及将电磁辐射发送到波导空腔中的一个或多个电子设备组。当至少一种工艺气体在腔室内且电磁辐射从波导空腔传播到工艺腔室中时，形成等离子体。