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公开(公告)号：CN112771654B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN201980060097.6
申请日：2019-08-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 示例性的支撑组件可包括限定基板支撑表面的顶部圆盘，其中顶部圆盘还由高度来表征。组件可包括杆，所述杆在顶部圆盘的与基板支撑表面相对的第二表面上与顶部圆盘耦接。组件可包括RF电极，所述RF电极嵌入在顶部圆盘内靠近基板支撑表面的位置。组件可包括嵌入在顶部圆盘内的加热器。组件还可包括嵌入在顶部圆盘内的接地屏蔽件。接地屏蔽件可由径向地延伸穿过顶部圆盘的内部区域来表征。接地屏蔽件可进一步由垂直于内部区域延伸的外部区域来表征。
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公开(公告)号：CN110326082A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880012847.8
申请日：2018-01-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种系统包括工艺腔室、界定波导空腔的壳体、和在壳体内的第一导电板。第一导电板面向工艺腔室。所述系统还包括至少可调整第一导电板的位置的一个或多个调整装置、以及在波导空腔与工艺腔室之间的与壳体耦接的第二导电板。电磁辐射可经由第二导电板中的孔从波导空腔传播到工艺腔室中。所述系统还包括封闭工艺腔室而与波导空腔隔开的介电板、以及将电磁辐射发送到波导空腔中的一个或多个电子设备组。当至少一种工艺气体在腔室内且电磁辐射从波导空腔传播到工艺腔室中时，形成等离子体。
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公开(公告)号：CN114551207A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210139214.1
申请日：2018-01-31
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种系统包括工艺腔室、界定波导空腔的壳体、和在壳体内的第一导电板。第一导电板面向工艺腔室。所述系统还包括至少可调整第一导电板的位置的一个或多个调整装置、以及在波导空腔与工艺腔室之间的与壳体耦接的第二导电板。电磁辐射可经由第二导电板中的孔从波导空腔传播到工艺腔室中。所述系统还包括封闭工艺腔室而与波导空腔隔开的介电板、以及将电磁辐射发送到波导空腔中的一个或多个电子设备组。当至少一种工艺气体在腔室内且电磁辐射从波导空腔传播到工艺腔室中时，形成等离子体。
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公开(公告)号：CN110326082B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201880012847.8
申请日：2018-01-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及用于等离子体均匀度的径向和方位控制的系统和方法。一种系统包括工艺腔室、界定波导空腔的壳体、和在壳体内的第一导电板。第一导电板面向工艺腔室。所述系统还包括至少可调整第一导电板的位置的一个或多个调整装置、以及在波导空腔与工艺腔室之间的与壳体耦接的第二导电板。电磁辐射可经由第二导电板中的孔从波导空腔传播到工艺腔室中。所述系统还包括封闭工艺腔室而与波导空腔隔开的介电板、以及将电磁辐射发送到波导空腔中的一个或多个电子设备组。当至少一种工艺气体在腔室内且电磁辐射从波导空腔传播到工艺腔室中时，形成等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109698111A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811245601.3
申请日：2018-10-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 系统和方法可用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体。处理系统可包括等离子体屏蔽件，所述等离子体屏蔽件与基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过等离子体屏蔽件的等离子体泄漏。等离子体屏蔽件可与电气接地耦合。
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公开(公告)号：CN119491202A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411584028.4
申请日：2018-10-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , C23C16/455 , C23C16/505
Abstract: 本公开涉及用于等离子体过滤的系统和方法。系统和方法可用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体。处理系统可包括等离子体屏蔽件，所述等离子体屏蔽件与基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过等离子体屏蔽件的等离子体泄漏。等离子体屏蔽件可与电气接地耦合。
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公开(公告)号：CN112771654A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980060097.6
申请日：2019-08-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 示例性的支撑组件可包括限定基板支撑表面的顶部圆盘，其中顶部圆盘还由高度来表征。组件可包括杆，所述杆在顶部圆盘的与基板支撑表面相对的第二表面上与顶部圆盘耦接。组件可包括RF电极，所述RF电极嵌入在顶部圆盘内靠近基板支撑表面的位置。组件可包括嵌入在顶部圆盘内的加热器。组件还可包括嵌入在顶部圆盘内的接地屏蔽件。接地屏蔽件可由径向地延伸穿过顶部圆盘的内部区域来表征。接地屏蔽件可进一步由垂直于内部区域延伸的外部区域来表征。
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公开(公告)号：CN110565071A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910863983.4
申请日：2018-10-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 本公开涉及用于等离子体过滤的系统和方法。系统和方法可用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体。处理系统可包括等离子体屏蔽件，所述等离子体屏蔽件与基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过等离子体屏蔽件的等离子体泄漏。等离子体屏蔽件可与电气接地耦合。
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公开(公告)号：CN209447761U
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201821726698.5
申请日：2018-10-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了半导体处理腔室。系统和方法可用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体。处理系统可包括等离子体屏蔽件，所述等离子体屏蔽件与基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过等离子体屏蔽件的等离子体泄漏。等离子体屏蔽件可与电气接地耦合。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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