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    用于晶片处理系统的热管理系统及方法
    1.
    发明授权
    用于晶片处理系统的热管理系统及方法 有权

    公开(公告)号：CN107533999B

    公开(公告)日：2022-03-15

    申请号：CN201680021881.2

    申请日：2016-08-04

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： D·本杰明森 ,  D·卢博米尔斯基

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/324

    Abstract: 工件保持器包括定位盘，该定位盘具有圆柱轴、该圆柱轴周围的半径及厚度。该定位盘的至少顶面是实质平面的，且该定位盘限定一或更多个断热器。各断热器为径向凹口，该径向凹口与该圆柱形定位盘的该顶面及底面中的至少一者相交。该径向凹口具有断热器深度及断热器半径，该断热器深度延伸穿过该定位盘厚度的至少一半，该断热器半径为该定位盘半径的至少一半。一种处理晶片的方法，包括以下步骤：以第一处理处理该晶片，该第一处理提供第一中心至边缘处理变化，且随后，以第二处理处理该晶片，该第二处理提供实质补偿该第一中心至边缘处理的第二中心至边缘处理变化。

    高温RF加热器底座
    2.
    发明公开
    高温RF加热器底座 审中-实审

    公开(公告)号：CN112740396A

    公开(公告)日：2021-04-30

    申请号：CN201980060581.9

    申请日：2019-08-26

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： S·朴 ,  D·本杰明森 ,  X·王 ,  D·卢博米尔斯基

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

    Abstract: 描述了半导体处理系统，所述半导体处理系统可以包括具有基板支撑表面的基板支撑组件。示例性的基板支撑组件可包括限定基板支撑表面的陶瓷加热器。组件可包括接地板，陶瓷加热器安置在接地板上。组件可包括与接地板耦接的杆。组件可包括电极，电极嵌入在陶瓷加热器内距离基板支撑表面的一定深度处。腔室或系统还可包括RF匹配器，RF匹配器被配置成通过杆向电极提供AC电流与RF功率。RF匹配器可沿着杆与基板支撑组件耦接。基板支撑组件和RF匹配器可以在半导体处理系统内垂直平移。

    螺接式晶片夹具热管理系统及用于晶片处理系统的方法
    3.
    发明公开
    螺接式晶片夹具热管理系统及用于晶片处理系统的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113851419A

    公开(公告)日：2021-12-28

    申请号：CN202111132290.1

    申请日：2016-08-04

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： D·本杰明森 ,  D·卢博米尔斯基 ,  A·S·麦斯 ,  S·纳塔拉加恩 ,  S·秋瑞

    IPC: H01L21/687 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

    Abstract: 一种工件固持器，包括：定位盘；第一及第二加热装置，与该定位盘的相应的内及外部分热连通；及热沉，与该定位盘热连通。该第一及第二加热装置可独立控制，且与该热沉与该定位盘的热连通相比，该第一及第二加热装置与该定位盘处于更大的热连通。一种控制工件的温度分布的方法，包括以下步骤：使热交换流体流过热沉，以对定位盘建立参考温度；通过启动安置为与该定位盘的径向内及外部分热连通的相应第一及第二加热装置，将该定位盘的径向内及外部分的温度升高至大于该参考温度的第一及第二温度；及将该工件放置在该定位盘上。

    螺接式晶片夹具热管理系统及用于晶片处理系统的方法
    4.
    发明授权
    螺接式晶片夹具热管理系统及用于晶片处理系统的方法 有权

    公开(公告)号：CN107484433B

    公开(公告)日：2021-10-08

    申请号：CN201680021497.2

    申请日：2016-08-04

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： D·本杰明森 ,  D·卢博米尔斯基 ,  A·S·麦斯 ,  S·纳塔拉加恩 ,  S·秋瑞

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/324

    Abstract: 一种工件固持器，包括：定位盘；第一及第二加热装置，与该定位盘的相应的内及外部分热连通；及热沉，与该定位盘热连通。该第一及第二加热装置可独立控制，且与该热沉与该定位盘的热连通相比，该第一及第二加热装置与该定位盘处于更大的热连通。一种控制工件的温度分布的方法，包括以下步骤：使热交换流体流过热沉，以对定位盘建立参考温度；通过启动安置为与该定位盘的径向内及外部分热连通的相应第一及第二加热装置，将该定位盘的径向内及外部分的温度升高至大于该参考温度的第一及第二温度；及将该工件放置在该定位盘上。

    极端均匀加热基板支撑组件
    6.
    发明公开
    极端均匀加热基板支撑组件 审中-实审

    公开(公告)号：CN112088427A

    公开(公告)日：2020-12-15

    申请号：CN201980030055.8

    申请日：2019-05-03

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： D·本杰明森 ,  V·D·帕科 ,  O·S·科拉西德达拉玛雅 ,  K·H·弗劳德 ,  J·王 ,  M·T·萨米尔 ,  D·卢博米尔斯基

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

    Abstract: 本文中所述的实施方式提供了一种实现跨工件表面的温度均匀性的基板支撑组件。在一个实施例中，提供了一种基板支撑组件，所述基板支撑组件包括主体。所述主体由陶瓷制作。所述主体具有工件支撑表面及安装表面。所述工件支撑表面及粘合吸盘主体表面具有小于10微米的平坦度。第一加热器被设置在底表面上在所述主体外部。粘合层被设置在所述第一加热器之上，其中所述粘合层是电绝缘的，且冷却基部具有由金属制作的主体。所述冷却主体具有上冷却主体表面及下冷却主体表面，其中所述上冷却主体表面的平坦度小于约10微米。

    用于晶片处理系统的热管理系统及方法
    7.
    发明公开
    用于晶片处理系统的热管理系统及方法 有权

    公开(公告)号：CN107533999A

    公开(公告)日：2018-01-02

    申请号：CN201680021881.2

    申请日：2016-08-04

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： D·本杰明森 ,  D·卢博米尔斯基

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/68785 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/12

    Abstract: 工件保持器包括定位盘，该定位盘具有圆柱轴、该圆柱轴周围的半径及厚度。该定位盘的至少顶面是实质平面的，且该定位盘限定一或更多个断热器。各断热器为径向凹口，该径向凹口与该圆柱形定位盘的该顶面及底面中的至少一者相交。该径向凹口具有断热器深度及断热器半径，该断热器深度延伸穿过该定位盘厚度的至少一半，该断热器半径为该定位盘半径的至少一半。一种处理晶片的方法，包括以下步骤：以第一处理处理该晶片，该第一处理提供第一中心至边缘处理变化，且随后，以第二处理处理该晶片，该第二处理提供实质补偿该第一中心至边缘处理的第二中心至边缘处理变化。

    半导体基板支撑件
    9.
    发明公开
    半导体基板支撑件 审中-实审

    公开(公告)号：CN114566458A

    公开(公告)日：2022-05-31

    申请号：CN202210191701.2

    申请日：2016-08-04

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： D·本杰明森 ,  D·卢博米尔斯基

    IPC: H01L21/687 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

    Abstract: 本申请涉及半导体基板支撑件。工件保持器包括定位盘，该定位盘具有圆柱轴、该圆柱轴周围的半径及厚度。该定位盘的至少顶面是实质平面的，且该定位盘限定一或更多个断热器。各断热器为径向凹口，该径向凹口与该圆柱形定位盘的该顶面及底面中的至少一者相交。该径向凹口具有断热器深度及断热器半径，该断热器深度延伸穿过该定位盘厚度的至少一半，该断热器半径为该定位盘半径的至少一半。一种处理晶片的方法，包括以下步骤：以第一处理处理该晶片，该第一处理提供第一中心至边缘处理变化，且随后，以第二处理处理该晶片，该第二处理提供实质补偿该第一中心至边缘处理的第二中心至边缘处理变化。

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