公开(公告)号：CN107210250B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201680008411.2

申请日：2016-01-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·Q·特兰 ,  S·马立克 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·N·罗伊 ,  S·小林 ,  T·S·周 ,  S·朴 ,  S·文卡特拉曼

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 一种晶片夹盘组件包括吸盘、轴和基底。绝缘材料界定吸盘的顶表面；加热器元件嵌入在绝缘材料内；并且导电板位于绝缘材料下方。轴包括：与板耦接的外壳；以及用于加热器元件和电极的电连接器。导电基底外壳与轴外壳耦接；并且连接器通过在基底外壳内的端子块。一种等离子体处理的方法，包括以下步骤：将工件装载至具有绝缘顶表面的夹盘上；提供跨顶表面内的两个电极的DC电压差分；通过使电流通过加热器元件来加热夹盘；在环绕夹盘的腔室中提供工艺流体；以及在夹盘下方的导电板与腔室的一个或多个壁之间提供RF电压。

公开(公告)号：CN107210250A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680008411.2

申请日：2016-01-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·Q·特兰 ,  S·马立克 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·N·罗伊 ,  S·小林 ,  T·S·周 ,  S·朴 ,  S·文卡特拉曼

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67103

Abstract: 一种晶片夹盘组件包括吸盘、轴和基底。绝缘材料界定吸盘的顶表面；加热器元件嵌入在绝缘材料内；并且导电板位于绝缘材料下方。轴包括：与板耦接的外壳；以及用于加热器元件和电极的电连接器。导电基底外壳与轴外壳耦接；并且连接器通过在基底外壳内的端子块。一种等离子体处理的方法，包括以下步骤：将工件装载至具有绝缘顶表面的夹盘上；提供跨顶表面内的两个电极的DC电压差分；通过使电流通过加热器元件来加热夹盘；在环绕夹盘的腔室中提供工艺流体；以及在夹盘下方的导电板与腔室的一个或多个壁之间提供RF电压。

公开(公告)号：CN102414338A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018337.5

申请日：2010-02-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·J·格林 ,  C-H·蔡 ,  S·N·罗伊 ,  P·巴贾杰 ,  D·H·卢

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/54 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C14/50 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3408

Abstract: 提供对沉积腔室进行原位电浆清洁的方法与设备。在一个实施例中，提供一种对沉积腔室进行电浆清洁而不破坏真空的方法。所述方法包括：将基板置于晶座上，所述晶座被配置于腔室中且由电浮动沉积环所环绕；将金属薄膜沉积于腔室中的基板与沉积环上；将沉积于沉积环上的金属薄膜接地且不破坏真空；并使用形成于腔室中的电浆从腔室移除污染物，且不再次溅射接地沉积环上的金属薄膜，且不破坏真空。

公开(公告)号：CN102414338B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201080018337.5

申请日：2010-02-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·J·格林 ,  C-H·蔡 ,  S·N·罗伊 ,  P·巴贾杰 ,  D·H·卢

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/54 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C14/50 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3408

Abstract: 提供对沉积腔室进行原位电浆清洁的方法与设备。在一个实施例中，提供一种对沉积腔室进行电浆清洁而不破坏真空的方法。所述方法包括：将基板置于晶座上，所述晶座被配置于腔室中且由电浮动沉积环所环绕；将金属薄膜沉积于腔室中的基板与沉积环上；将沉积于沉积环上的金属薄膜接地且不破坏真空；并使用形成于腔室中的电浆从腔室移除污染物，且不再次溅射接地沉积环上的金属薄膜，且不破坏真空。