公开(公告)号：CN102714156A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080062197.1

申请日：2010-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王琳林 ,  A·B·马利克 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234

Abstract: 本案描述用以形成介电层的方法。所述方法包含混合含硅前驱物及等离子体流出物的步骤，以及在基板上沉积含硅及氮的层的步骤。通过在用来沉积所述含硅及氮的层的同一基板处理区域内在含臭氧气氛中进行固化，使所述含硅及氮的层转化成含硅及氧的层。可在所述含硅及氧的层上沉积另一含硅及氮的层，并且所述层堆叠可在臭氧中再次固化，皆无需从所述基板处理区域中移除所述基板。待完成整数倍的沉积-固化循环之后，可在含氧环境中在较高温度下退火以进行所述含硅及氧的层堆叠的转化。