公开(公告)号：CN102687252A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080059994.4

申请日：2010-12-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  X·陈 ,  M·L·米勒 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

Abstract: 本发明描述形成介电层的方法。本方法可包括以下步骤：混合含硅前驱物与氮自由基前驱物，以及沉积介电层至基板上。氮自由基前驱物在远端等离子体中藉由将氢(H2)及氮(N2)流动至等离子体中以便允许调整氮/氢比例所形成。介电层起初为含硅及氮层，所述含硅及氮层可藉由在含氧环境中固化和/或退火薄膜而转化为含硅及氧层。

公开(公告)号：CN102714913A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080061569.9

申请日：2010-11-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·卢博米尔斯基 ,  J-G·杨 ,  M·L·米勒 ,  J·D·潘松三世 ,  祝基恩

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32357

Abstract: 本发明的实施例大体上提供等离子体源设备及该等离子体源设备的使用方法，通过使用电磁能量源，该等离子体源能够在等离子体生成区域中生成自由基及/或气体离子，而等离子体生成区域是对称地定位在磁性核心元件周围。大体而言，等离子体生成区域和磁性核心的方位及形状允许有效率地且均匀地将所传递的电磁能量耦合至布置在等离子体生成区域中的气体。大体而言，等离子体生成区域中形成的等离子体的改善的特征能够改善布置在等离子体生成区域下游的基片或处理腔室的一部分上所执行的沉积、蚀刻及/或清洁工艺。

公开(公告)号：CN103329251A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180065903.2

申请日：2011-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J-G·杨 ,  M·L·米勒 ,  X·陈 ,  祝基恩 ,  Q·梁 ,  S·文卡特拉马 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45585 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/02274

Abstract: 本发明所描述的基板处理系统具有定位于处理腔室内部的电容耦合式等离子体(CCP)单元。CCP单元可包括在第一电极与第二电极之间形成的等离子体激发区域。第一电极可包括多个第一开孔以准许第一气体进入等离子体激发区域，且第二电极可包括多个第二开孔以准许活性气体离开等离子体激发区域。系统可进一步包括气体入口及基座，气体入口用于供应第一气体至CCP单元的第一电极，基座可操作以支撑基板。基座定位在气体反应区域下方，活化气体从CCP单元前进进入气体反应区域。