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公开(公告)号：CN112513321A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980048633.0
申请日：2019-08-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/458 , H01L21/02
Abstract: 本文所述的实施例提供通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来形成具有高硬度的低k碳掺杂氧化硅(CDO)层的方法。此方法包括以载气流率提供载气和以前驱物流率将CDO前驱物提供到工艺腔室。以一功率水平和一频率将射频(RF)功率施加至CDO前驱物。CDO层沉积在工艺腔室内的基板上。
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