公开(公告)号：CN108807126A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810426752.2

申请日：2018-05-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： H·于 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  C-A·陈 ,  A·巴拉克利斯纳

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3299 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32541 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323 ,  H01J2237/3344 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01J37/32165

Abstract: 本公开内容涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。改变在基板组件内的中心电极和环形电极上的电压/电流分布促进等离子体在所述基板上的空间分布。所述方法包括将第一射频功率施加到嵌入在基板支撑件中的中心电极并且将第二射频功率施加到嵌入在所述基板支撑件中的不同于所述中心电极的位置处的环形电极。所述环形电极与所述中心电极间隔开并周向地环绕所述中心电极。所述方法还包括监视所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数并且基于所述监视的参数而调节所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者。