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公开(公告)号：CN111508809A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010085736.9
申请日：2015-02-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J27/08 , H05H1/46 , H01L21/02 , C23C16/54 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44 , H05H1/24
摘要： 本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外壁围绕所述电极。等离子体源具有安置于第一板件上的第一多个磁体，及安置于第二板件上的第二多个磁体。由第一多个磁体及第二多个磁体产生的磁场大体上垂直于在电极与外壁之间产生的电场。在此配置中，产生密集等离子体。
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公开(公告)号：CN108505010A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810327043.9
申请日：2014-03-04
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C14/50 , C23C14/54 , H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本文提供一种用于基板处理系统中的基板支撑夹盘。在一些实施方式中，用于基板处理腔室中的基板支撑件可包括：静电夹盘，所述静电夹盘具有顶部基板支撑表面与底部表面；以及冷却环组件，所述冷却环组件具有中心开孔，所述冷却环组件设置于所述静电夹盘的底部表面的附近，所述冷却环组件包括：冷却部，所述冷却部具有热耦接至所述静电夹盘的底部表面的顶部表面，所述冷却部具有形成于所述冷却部的底部表面中的冷却通道；以及帽部，所述帽部耦接至所述冷却部的底部表面并且流体地密封形成于所述冷却部中的所述冷却通道。
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公开(公告)号：CN105993062B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201580007946.3
申请日：2015-01-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/683 , H01L21/02
摘要： 本公开内容的实施方式提供用于稳定基板温度的设备及方法，通过：流动冷却气体流至基板支撑件中的冷却通道的入口，使用热交换器从冷却通道的出口接收冷却气体流，以及释放冷却气体至最近环境，例如清洁室或微环境。
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公开(公告)号：CN103764869B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201280042073.6
申请日：2012-08-28
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/3414 , H01J37/3497
摘要： 提供用于物理气相沉积的设备和方法。在一些实施方式中，在物理气相沉积腔室中冷却靶材的冷却环可包括环形主体，环形主体具有中心开口；入口端口，该入口端口耦接至主体；出口端口，该出口端口耦接至主体，冷却剂通道，该冷却剂通道设置在主体中并且具有第一端部和第二端部，该第一端部耦接至入口端口，该第二端部耦接至出口端口；以及帽件，该帽件耦接至主体并且实质上跨越中心开口，其中该帽件包括中心孔。
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公开(公告)号：CN103764869A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042073.6
申请日：2012-08-28
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/3414 , H01J37/3497
摘要： 提供用于物理气相沉积的设备和方法。在一些实施方式中，在物理气相沉积腔室中冷却靶材的冷却环可包括环形主体，环形主体具有中心开口；入口端口，该入口端口耦接至主体；出口端口，该出口端口耦接至主体，冷却剂通道，该冷却剂通道设置在主体中并且具有第一端部和第二端部，该第一端部耦接至入口端口，该第二端部耦接至出口端口；以及帽件，该帽件耦接至主体并且实质上跨越中心开口，其中该帽件包括中心孔。
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公开(公告)号：CN100370045C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN03123703.7
申请日：2003-05-14
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C22C21/00
CPC分类号： H01J37/32467 , C23C16/4401 , C25D11/04 , H01J37/32477 , H01J37/32559 , Y10T428/1259 , Y10T428/12611 , Y10T428/249961 , Y10T428/249987 , Y10T428/25 , Y10T428/256 , Y10T428/258 , Y10T428/26 , Y10T428/263
摘要： 本发明公开了一种用于制造半导体设备的洁净铝合金，其中该洁净铝合金的至少一部分表面通过阳极化镀层进行保护，所述洁净铝合金包含一些杂质微粒，其中至少85%的所述杂质微粒尺寸小于5μm，少于15%的所述杂质微粒的尺寸在5μm到20μm之间，少于1%的所述杂质微粒的尺寸大于20μm，没有大于40μm的杂质微粒。本发明还公开了一种生产用于半导体加工的抗腐蚀器件的方法，其中所述器件包含一个由洁净铝合金制成的本体，其中所述本体的至少一个要暴露于腐蚀性环境中的表面被覆盖上一层阳极化镀层，其中至少所述本体的覆盖了所述阳极化镀层的所述表面是如上所述的铝合金。
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公开(公告)号：CN1577732A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410069788.8
申请日：2004-07-19
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： B24C11/005
摘要： 本发明提供了为诸如室部件的工件表面提供纹理的方法和系统。本方法包括：将工件提供给纹理化室，并在工件表面上扫掠电磁能量束，以在其上形成多个特征。所形成的特征一般是凹陷、凸起及其组合。所述室部件可以包括例如室防护件和相关组件、靶、遮蔽环、接触环、衬底支架或其他可设置在处理室内的部件。还提供了一种减少处理室内污染的方法。本方法包括：在一个或多个处理室部件的表面上扫掠电磁能量束，以在其上形成多个特征；将所述一个或多个室部件置入处理室内；以及在处理室内开始进行处理工序。
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公开(公告)号：CN111508809B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010085736.9
申请日：2015-02-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J27/08 , H05H1/46 , H01L21/02 , C23C16/54 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44 , H05H1/24
摘要： 本公开内容涉及霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统。本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外壁围绕所述电极。等离子体源具有安置于第一板件上的第一多个磁体，及安置于第二板件上的第二多个磁体。由第一多个磁体及第二多个磁体产生的磁场大体上垂直于在电极与外壁之间产生的电场。在此配置中，产生密集等离子体。
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公开(公告)号：CN108505010B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201810327043.9
申请日：2014-03-04
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C14/50 , C23C14/54 , H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本文提供一种用于基板处理系统中的基板支撑夹盘。在一些实施方式中，用于基板处理腔室中的基板支撑件可包括：静电夹盘，所述静电夹盘具有顶部基板支撑表面与底部表面；以及冷却环组件，所述冷却环组件具有中心开孔，所述冷却环组件设置于所述静电夹盘的底部表面的附近，所述冷却环组件包括：冷却部，所述冷却部具有热耦接至所述静电夹盘的底部表面的顶部表面，所述冷却部具有形成于所述冷却部的底部表面中的冷却通道；以及帽部，所述帽部耦接至所述冷却部的底部表面并且流体地密封形成于所述冷却部中的所述冷却通道。
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公开(公告)号：CN106062925A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580012315.0
申请日：2015-02-09
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外壁围绕所述电极。等离子体源具有安置于第一板件上的第一多个磁体，及安置于第二板件上的第二多个磁体。由第一多个磁体及第二多个磁体产生的磁场大体上垂直于在电极与外壁之间产生的电场。在此配置中，产生密集等离子体。
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