公开(公告)号：CN112242377A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010684555.8

申请日：2020-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜成进 ,  白宗玟 ,  刘禹炅 ,  韩奎熙 ,  金汉城 ,  李长镐 ,  张相信

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L49/02

Abstract: 一种半导体器件包括：第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中的导电图案；在导电图案上的电阻图案；上蚀刻停止膜，与电阻图案间隔开，平行于电阻图案的顶表面延伸，并且包括第一金属；下蚀刻停止膜，在导电图案上，平行于第一层间绝缘膜的顶表面延伸，并且包括第二金属；以及在上蚀刻停止膜和下蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜，其中从第二层间绝缘膜的顶表面到上蚀刻停止膜的顶表面的距离小于从第二层间绝缘膜的顶表面到下蚀刻停止膜的顶表面的距离。

公开(公告)号：CN113629037A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110120166.7

申请日：2021-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴水贤 ,  朴径范 ,  白宗玟 ,  李长镐 ,  刘禹炅 ,  郑德泳

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/48 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：晶体管，位于基底上；第一层间绝缘层，位于晶体管上；下互连线，位于第一层间绝缘层的上部中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括穿透蚀刻停止层以接触下互连线的通路部分；蚀刻停止图案，位于蚀刻停止层上并且与通路部分的第一侧壁接触。第二层间绝缘层在蚀刻停止图案和蚀刻停止层的其上没有蚀刻停止图案的顶表面上延伸。蚀刻停止图案的介电常数比蚀刻停止层的介电常数高。

公开(公告)号：CN112242377B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202010684555.8

申请日：2020-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜成进 ,  白宗玟 ,  刘禹炅 ,  韩奎熙 ,  金汉城 ,  李长镐 ,  张相信

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件包括：第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中的导电图案；在导电图案上的电阻图案；上蚀刻停止膜，与电阻图案间隔开，平行于电阻图案的顶表面延伸，并且包括第一金属；下蚀刻停止膜，在导电图案上，平行于第一层间绝缘膜的顶表面延伸，并且包括第二金属；以及在上蚀刻停止膜和下蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜，其中从第二层间绝缘膜的顶表面到上蚀刻停止膜的顶表面的距离小于从第二层间绝缘膜的顶表面到下蚀刻停止膜的顶表面的距离。

公开(公告)号：CN109390273B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201810869383.4

申请日：2018-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘禹炅 ,  李义福 ,  白宗玟 ,  朴水贤 ,  李长镐 ,  安商熏 ,  吴赫祥

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括下布线；蚀刻停止层，在衬底上；层间绝缘层，在蚀刻停止层上；上布线，设置在层间绝缘层中并与下布线分开；以及通路，形成在层间绝缘层和蚀刻停止层中并将下布线与上布线连接，其中通路包括在蚀刻停止层中的第一部分和在层间绝缘层中的第二部分，以及其中通路的第一部分的侧壁包括阶梯构造。

公开(公告)号：CN109390273A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810869383.4

申请日：2018-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘禹炅 ,  李义福 ,  白宗玟 ,  朴水贤 ,  李长镐 ,  安商熏 ,  吴赫祥

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括下布线；蚀刻停止层，在衬底上；层间绝缘层，在蚀刻停止层上；上布线，设置在层间绝缘层中并与下布线分开；以及通路，形成在层间绝缘层和蚀刻停止层中并将下布线与上布线连接，其中通路包括在蚀刻停止层中的第一部分和在层间绝缘层中的第二部分，以及其中通路的第一部分的侧壁包括阶梯构造。