公开(公告)号：CN117253855A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310521771.4

申请日：2023-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  白奉官 ,  张相信 ,  柳庚玟 ,  白宗玟 ,  申定候 ,  林俊赫 ,  千正焕

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体装置的方法可以包括：在鳍型图案上形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成蚀刻停止膜和层间绝缘膜；在层间绝缘膜中形成接触孔；沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫；在牺牲衬垫存在的同时执行离子注入工艺；去除牺牲衬垫并沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫；以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件。离子注入工艺可以包括将杂质注入到源极/漏极图案中。源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案。

公开(公告)号：CN118412377A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410074806.9

申请日：2024-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永吉 ,  徐训硕 ,  安敏澈 ,  刘禹炅 ,  李禹镇 ,  千正焕

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，其在有源区上在第二方向上延伸；源极/漏极区，其位于有源区上并与栅极结构相邻；背面绝缘层，其位于衬底的下表面上；竖直电力结构，其位于相邻的源极/漏极区之间，其中，竖直电力结构延伸穿过衬底和背面绝缘层，并且具有暴露的下表面；层间绝缘层，其位于背面绝缘层上；背面电力结构，其延伸穿过层间绝缘层并且连接到竖直电力结构；以及第一对准绝缘层，其位于背面绝缘层和层间绝缘层之间，其中，第一对准绝缘层具有暴露出竖直电力结构的下表面并与背面电力结构接触的第一开口。

公开(公告)号：CN111223834A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910800057.2

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  金志睿 ,  千正焕 ,  郭玟灿 ,  卢东贤 ,  李珍旭 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。

公开(公告)号：CN116913965A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310362129.6

申请日：2023-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白奉官 ,  林俊赫 ,  千正焕 ,  韩奎熙 ,  白宗玟 ,  柳庚玟 ,  申定候 ,  张相信

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了具有改善的性能和可靠性的半导体器件和用于形成其的方法。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案、在有源图案上在第一方向上彼此间隔开的栅极结构、在有源图案上的源极/漏极图案、在源极/漏极图案上的源极/漏极接触、以及沿着源极/漏极接触的侧壁延伸的接触衬垫。接触衬垫的第一点处的接触衬垫的碳浓度不同于接触衬垫的第二点处的接触衬垫的碳浓度，第一点在距有源图案的上表面的第一高度处，第二点在距有源图案的上表面的第二高度处，第一高度小于第二高度。

公开(公告)号：CN111223834B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201910800057.2

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  金志睿 ,  千正焕 ,  郭玟灿 ,  卢东贤 ,  李珍旭 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。

公开(公告)号：CN115692375A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210865237.0

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  申定候 ,  张相信 ,  千正焕 ,  朴径范 ,  朴水贤

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，具有有源区；第一绝缘层，在基底上；第二绝缘层，在第一绝缘层上；蚀刻停止层，在第一绝缘层与第二绝缘层之间；过孔触点，在第一绝缘层中，并且电连接到有源区；互连电极，在第二绝缘层中，并且电连接到过孔触点；导电阻挡层，在互连电极的侧表面和下表面上，并且具有延伸到过孔触点的侧表面的部分区域的延伸部；以及侧绝缘层，在导电阻挡层的延伸部下方在过孔触点的侧区域上，侧绝缘层包括与蚀刻停止层的材料相同的材料。