公开(公告)号：CN111223834B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201910800057.2

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  金志睿 ,  千正焕 ,  郭玟灿 ,  卢东贤 ,  李珍旭 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。

公开(公告)号：CN111223834A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910800057.2

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  金志睿 ,  千正焕 ,  郭玟灿 ,  卢东贤 ,  李珍旭 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。