公开(公告)号：CN110828370A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910378795.2

申请日：2019-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志荣 ,  韩奎熙 ,  朴成彬 ,  金永吉 ,  白宗玟 ,  李敬雨 ,  郑德泳

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：下布线；层间绝缘膜，位于下布线上方并包括具有第一密度的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第一部分和第二部分具有相同的材料，第二部分具有小于第一密度的第二密度；上布线，位于层间绝缘膜的第二部分中；以及通路，至少部分地位于层间绝缘膜的第一部分中，通路连接上布线和下布线。

公开(公告)号：CN118412377A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410074806.9

申请日：2024-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永吉 ,  徐训硕 ,  安敏澈 ,  刘禹炅 ,  李禹镇 ,  千正焕

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，其在有源区上在第二方向上延伸；源极/漏极区，其位于有源区上并与栅极结构相邻；背面绝缘层，其位于衬底的下表面上；竖直电力结构，其位于相邻的源极/漏极区之间，其中，竖直电力结构延伸穿过衬底和背面绝缘层，并且具有暴露的下表面；层间绝缘层，其位于背面绝缘层上；背面电力结构，其延伸穿过层间绝缘层并且连接到竖直电力结构；以及第一对准绝缘层，其位于背面绝缘层和层间绝缘层之间，其中，第一对准绝缘层具有暴露出竖直电力结构的下表面并与背面电力结构接触的第一开口。

公开(公告)号：CN118335715A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410031426.7

申请日：2024-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘禹炅 ,  金永吉 ,  姜尚求 ,  姜旼材 ,  柳庚玟 ,  徐训硕 ,  李禹镇

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置包括：装置结构，其包括第一半导体衬底，并且具有在第一方向上延伸的有源图案；导电贯穿件，其电连接到前布线层并且穿透第一半导体衬底，其中第一半导体衬底具有非平坦化的下表面，在非平坦化的下表面中，导电贯穿件周围的外围区域向下弯曲；第一接合结构，其具有平坦化的绝缘层，平坦化的绝缘层设置在第一半导体衬底的第二表面上并且具有平坦化的上表面。

公开(公告)号：CN110828370B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201910378795.2

申请日：2019-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志荣 ,  韩奎熙 ,  朴成彬 ,  金永吉 ,  白宗玟 ,  李敬雨 ,  郑德泳

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：下布线；层间绝缘膜，位于下布线上方并包括具有第一密度的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第一部分和第二部分具有相同的材料，第二部分具有小于第一密度的第二密度；上布线，位于层间绝缘膜的第二部分中；以及通路，至少部分地位于层间绝缘膜的第一部分中，通路连接上布线和下布线。

公开(公告)号：CN117936504A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202310826024.1

申请日：2023-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永吉 ,  徐训硕 ,  金永培 ,  刘禹炅

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L27/088

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源图案，在基底上；源极/漏极图案；第一分离结构和第二分离结构，其中，相邻的源极/漏极图案置于第一分离结构与第二分离结构之间；层间绝缘层，在源极/漏极图案以及第一分离结构和第二分离结构上；贯穿过孔，在相邻的源极/漏极图案之间，穿透层间绝缘层并且朝向基底延伸，其中，贯穿过孔的顶部与层间绝缘层的顶部共面；介电层，选择性地在层间绝缘层的顶部并且打开贯穿过孔的顶部；电源过孔，通过介电层引导以连接到贯穿过孔的顶部；电源线，在电源过孔上并且通过电源过孔电连接到贯穿过孔；电源输送网络层，在基底的底部上；以及下导体，在贯穿过孔下方。