Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"安敏澈" Page 1

1.

发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN118412377A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410074806.9

申请日：2024-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永吉 , 徐训硕 , 安敏澈 , 刘禹炅 , 李禹镇 , 千正焕

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，其在有源区上在第二方向上延伸；源极/漏极区，其位于有源区上并与栅极结构相邻；背面绝缘层，其位于衬底的下表面上；竖直电力结构，其位于相邻的源极/漏极区之间，其中，竖直电力结构延伸穿过衬底和背面绝缘层，并且具有暴露的下表面；层间绝缘层，其位于背面绝缘层上；背面电力结构，其延伸穿过层间绝缘层并且连接到竖直电力结构；以及第一对准绝缘层，其位于背面绝缘层和层间绝缘层之间，其中，第一对准绝缘层具有暴露出竖直电力结构的下表面并与背面电力结构接触的第一开口。

Patent Agency Ranking