公开(公告)号：CN117253855A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310521771.4

申请日：2023-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  白奉官 ,  张相信 ,  柳庚玟 ,  白宗玟 ,  申定候 ,  林俊赫 ,  千正焕

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体装置的方法可以包括：在鳍型图案上形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成蚀刻停止膜和层间绝缘膜；在层间绝缘膜中形成接触孔；沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫；在牺牲衬垫存在的同时执行离子注入工艺；去除牺牲衬垫并沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫；以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件。离子注入工艺可以包括将杂质注入到源极/漏极图案中。源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案。

公开(公告)号：CN114121782A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110582170.5

申请日：2021-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  安商熏 ,  李禹镇 ,  卞卿溵 ,  申定候 ,  申铉振 ,  李润姓

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供形成互连结构的方法。所述方法包括：制备包括第一金属层和第一绝缘层的基板，在所述第一金属层上选择性地形成具有sp2键合结构的碳层，在所述第一绝缘层上选择性地形成第二绝缘层，形成第三绝缘层以覆盖所述第二绝缘层，和形成电连接至所述第一金属层的第二金属层。

公开(公告)号：CN116913965A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310362129.6

申请日：2023-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白奉官 ,  林俊赫 ,  千正焕 ,  韩奎熙 ,  白宗玟 ,  柳庚玟 ,  申定候 ,  张相信

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了具有改善的性能和可靠性的半导体器件和用于形成其的方法。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案、在有源图案上在第一方向上彼此间隔开的栅极结构、在有源图案上的源极/漏极图案、在源极/漏极图案上的源极/漏极接触、以及沿着源极/漏极接触的侧壁延伸的接触衬垫。接触衬垫的第一点处的接触衬垫的碳浓度不同于接触衬垫的第二点处的接触衬垫的碳浓度，第一点在距有源图案的上表面的第一高度处，第二点在距有源图案的上表面的第二高度处，第一高度小于第二高度。

公开(公告)号：CN115692375A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210865237.0

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  申定候 ,  张相信 ,  千正焕 ,  朴径范 ,  朴水贤

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，具有有源区；第一绝缘层，在基底上；第二绝缘层，在第一绝缘层上；蚀刻停止层，在第一绝缘层与第二绝缘层之间；过孔触点，在第一绝缘层中，并且电连接到有源区；互连电极，在第二绝缘层中，并且电连接到过孔触点；导电阻挡层，在互连电极的侧表面和下表面上，并且具有延伸到过孔触点的侧表面的部分区域的延伸部；以及侧绝缘层，在导电阻挡层的延伸部下方在过孔触点的侧区域上，侧绝缘层包括与蚀刻停止层的材料相同的材料。