公开(公告)号：CN109554691A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811088265.6

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宪 ,  柳庚玟 ,  吴暻锡 ,  玄尚镇

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/56 ,  C23C16/54 ,  C23C16/24

Abstract: 公开了一种用于形成层的设备和一种在基板上形成层的方法。所述设备包括：转移腔室，在所述转移腔室中转移基板；沉积腔室，所述沉积腔室设置在所述转移腔室的一侧处，并且对所述基板执行沉积工艺，由此在所述基板上形成所述层；以及至少一个脱氢腔室，所述脱氢腔室设置在所述转移腔室的另一侧处，并且对所述基板上的所述层执行脱氢工艺，以减小所述层中的氢浓度。因此，在不从所述设备卸载所述基板的情况下，在所述设备中执行脱氢工艺。

公开(公告)号：CN109817702A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811214332.4

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金信惠 ,  吴暻锡 ,  曹九荣 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括基底和从基底突出的多个半导体鳍。源区/漏区设置在半导体鳍中的相应的半导体鳍的顶部处，均具有比半导体鳍中的单独的半导体鳍的宽度大的宽度。栅电极设置在半导体鳍的侧表面上并且位于源区/漏区下。绝缘层接触半导体鳍的侧表面并且覆盖栅电极的上表面。

公开(公告)号：CN107527859A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710441952.0

申请日：2017-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乔治·A·凯特尔 ,  吴暻锡 ,  金成玟

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76205 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了用于制造半导体装置的方法，具体地，涉及在制造期间填充半导体结构中的空腔的方法。在半导体上沉积例如聚硅氮烷的第一材料的层，并经受第一热过程以改变其化学成分，例如，将其改变为二氧化硅。然后对其进行回蚀，并重复沉积和热过程的循环。也可以在第一循环之后的一个或更多个循环中重复回蚀，并且可以在一个或更多个循环中执行可以增大一个或更多个沉积层的密度的第二热过程。

公开(公告)号：CN109817702B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN201811214332.4

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金信惠 ,  吴暻锡 ,  曹九荣 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括基底和从基底突出的多个半导体鳍。源区/漏区设置在半导体鳍中的相应的半导体鳍的顶部处，均具有比半导体鳍中的单独的半导体鳍的宽度大的宽度。栅电极设置在半导体鳍的侧表面上并且位于源区/漏区下。绝缘层接触半导体鳍的侧表面并且覆盖栅电极的上表面。

公开(公告)号：CN116631967A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310148424.1

申请日：2023-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安商熏 ,  吴暻锡 ,  李承宪 ,  林俊赫

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种能够改善器件的性能和可靠性的半导体器件。该半导体器件可以包括其中包含多个孔隙的第一层间绝缘膜、在第一层间绝缘膜中的第一线结构、沿着第一层间绝缘膜的上表面且在第一层间绝缘膜的上表面上延伸并且与第一层间绝缘膜接触的插入绝缘膜、与插入绝缘膜接触并沿着插入绝缘膜的上表面和第一线结构的上表面延伸的阻挡绝缘膜、在阻挡绝缘膜上的第二层间绝缘膜、以及设置在第二层间绝缘膜中并连接到第一线结构的第二线结构。