公开(公告)号：CN110660724B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN201910553164.X

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹九荣 ,  申秀斌 ,  卢东贤 ,  丁炳硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/762 ,  H10B10/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：衬底；从衬底突出的多个有源图案；在有源图案之间的器件隔离层；以及钝化层，覆盖器件隔离层的顶表面并暴露有源图案的上部。器件隔离层包括与有源图案的相面对的侧壁相邻的多个第一隔离部、以及在第一隔离部之间的第二隔离部。第二隔离部的顶表面位于比第一隔离部的顶表面的水平低的水平处。

公开(公告)号：CN109817702B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN201811214332.4

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金信惠 ,  吴暻锡 ,  曹九荣 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括基底和从基底突出的多个半导体鳍。源区/漏区设置在半导体鳍中的相应的半导体鳍的顶部处，均具有比半导体鳍中的单独的半导体鳍的宽度大的宽度。栅电极设置在半导体鳍的侧表面上并且位于源区/漏区下。绝缘层接触半导体鳍的侧表面并且覆盖栅电极的上表面。

公开(公告)号：CN110660724A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910553164.X

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹九荣 ,  申秀斌 ,  卢东贤 ,  丁炳硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/11

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：衬底；从衬底突出的多个有源图案；在有源图案之间的器件隔离层；以及钝化层，覆盖器件隔离层的顶表面并暴露有源图案的上部。器件隔离层包括与有源图案的相面对的侧壁相邻的多个第一隔离部、以及在第一隔离部之间的第二隔离部。第二隔离部的顶表面位于比第一隔离部的顶表面的水平低的水平处。

公开(公告)号：CN109817702A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811214332.4

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金信惠 ,  吴暻锡 ,  曹九荣 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括基底和从基底突出的多个半导体鳍。源区/漏区设置在半导体鳍中的相应的半导体鳍的顶部处，均具有比半导体鳍中的单独的半导体鳍的宽度大的宽度。栅电极设置在半导体鳍的侧表面上并且位于源区/漏区下。绝缘层接触半导体鳍的侧表面并且覆盖栅电极的上表面。

公开(公告)号：CN109411536B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201810891561.3

申请日：2018-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹九荣 ,  郭大荣 ,  金信惠 ,  柳庚玟 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含从衬底突出的有源图案及围绕有源图案的下部部分的绝缘结构。绝缘结构包含与衬底的顶部表面及有源图案的侧壁共形的绝缘层以及在绝缘层上的掩埋绝缘图案。本发明的半导体装置具有增强的可靠性。

公开(公告)号：CN109411536A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810891561.3

申请日：2018-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹九荣 ,  郭大荣 ,  金信惠 ,  柳庚玟 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含从衬底突出的有源图案及围绕有源图案的下部部分的绝缘结构。绝缘结构包含与衬底的顶部表面及有源图案的侧壁共形的绝缘层以及在绝缘层上的掩埋绝缘图案。本发明的半导体装置具有增强的可靠性。