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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106469758A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610585329.8
申请日：2016-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/785 , H01L27/1233 , H01L29/66795 , H01L29/7846 , H01L29/7854 , H01L29/7855
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括限定有源区的深沟槽和在有源区内突出的鳍型图案。鳍型图案具有下部、比下部宽度窄的上部以及形成在上部和下部之间的边界处的第一台阶部。所述半导体器件还包括围绕下部的第一场绝缘膜和形成在第一场绝缘膜上且部分地围绕上部的第二场绝缘膜。
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公开(公告)号：CN108336025B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201810043583.4
申请日：2018-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
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公开(公告)号：CN106653851B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201610948671.X
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面相邻；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面相邻，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽。第一鳍型图案具有下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部。第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。
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公开(公告)号：CN108336025A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810043583.4
申请日：2018-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L21/823821 , H01L21/82385 , H01L21/823878 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/7848 , H01L29/78696
Abstract: 本申请提供一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底，其具有第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案包括将其上部分为第一部分和第二部分的第一凹陷区，第二有源图案包括将其上部分为第一部分和第二部分的第二凹陷区；第一绝缘图案，其覆盖第一凹陷区的内侧壁；以及第二绝缘图案，其覆盖第二凹陷区的内侧壁。第一绝缘图案和第二绝缘图案包括相同的绝缘材料，并且第一绝缘图案相对于第一凹陷区的容积的体积分数小于第二绝缘图案相对于第二凹陷区的容积的体积分数。
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公开(公告)号：CN106653851A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610948671.X
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7855 , H01L29/0657 , H01L29/41791 , H01L29/7843 , H01L29/7846 , H01L29/7853 , H01L29/7854
Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面相邻；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面相邻，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽。第一鳍型图案具有下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部。第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。
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