公开(公告)号：CN109427900A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810568075.8

申请日：2018-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  朴台镇 ,  李钟旼 ,  金锡勋 ,  徐东灿 ,  柳廷昊 ,  成河圭 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：在衬底上的沟道图案，沟道图案在第一方向上延伸；在衬底上的栅极图案，栅极图案在交叉第一方向的第二方向上延伸并围绕沟道图案；以及在沟道图案与栅极图案之间的界面层，界面层形成在沟道图案的上表面和下表面中的至少一个表面上。

公开(公告)号：CN109427900B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201810568075.8

申请日：2018-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  朴台镇 ,  李钟旼 ,  金锡勋 ,  徐东灿 ,  柳廷昊 ,  成河圭 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336