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公开(公告)号：CN119893987A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202410881831.8
申请日：2024-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一层间绝缘层，在基板上并包括在第一水平处的上表面；第二层间绝缘层，在第一层间绝缘层上并且包括具有比第一层间绝缘层的密度小的密度的材料；第一接触，在第一层间绝缘层中并且具有在高于第一水平的第二水平处的上表面；贯穿通路，在第一层间绝缘层和基板中并且具有在高于第二水平的第三水平处的上表面；第一布线，在第二层间绝缘层中，与第一接触接触，并具有在低于第一水平的第四水平处的下表面；以及第二布线，在第二层间绝缘层中，与贯穿通路接触，并具有低于第四水平的第五水平。
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公开(公告)号：CN117790471A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311219302.3
申请日：2023-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544
Abstract: 提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装，该半导体器件包括：基板，包括元件区和限定元件区的划道区；以及一个或更多个测试元件组，布置在基板上，并且包括用于特性评估的一个或更多个测试元件和用于施加测试信号以测试一个或更多个测试元件的一个或更多个测试焊盘，其中所有的所述一个或更多个测试焊盘在水平方向上与元件区间隔开。
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公开(公告)号：CN117479530A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310826942.4
申请日：2023-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李钟旼
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；多个下电极，位于基底上并且以蜂窝结构布置；以及支撑件，将多个下电极彼此连接，其中，支撑件具有限定在其中的多个支撑件孔，其中，多个支撑件孔中的每个暴露多个下电极中的每个的至少一部分，其中，支撑件包括多个第一延伸部和多个第二延伸部，多个第一延伸部在第一方向上延伸，多个第二延伸部在第二方向上延伸以便与多个第一延伸部交叉，其中，多个第一延伸部中的每个具有第一侧壁和第二侧壁，其中，多个第二延伸部中的每个具有第三侧壁和第四侧壁，其中，第一侧壁至第四侧壁中的每个包括凸起部和凹陷部。
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公开(公告)号：CN115697036A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210750430.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：在衬底上的下电极、在下电极的上侧壁上的第一上支撑层图案、以及在下电极和第一上支撑层图案的表面上的介电层和上电极。下电极可以布置成蜂窝图案，所述下电极位于六边形的顶点和中心处。第一上支撑层图案可以为第一板形状，并且包括暴露所有下电极的一部分的开口。下电极可以在第一方向上形成行，所述行在垂直于第一方向的第二方向上布置。每一个开口可以暴露相邻两行中的至少四个下电极的上侧壁的部分。开口中的每一个可以具有在第一方向上的纵向方向。在半导体器件中，可以减少由弯曲应力引起的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114975355A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210143718.0
申请日：2022-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/535 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域；单元区域隔离膜，在所述衬底中并且沿所述单元区域的外边缘延伸；位线结构，在所述衬底上并且在所述单元区域中，其中所述位线结构具有设置在所述单元区域隔离膜上的远端；单元间隔物，在所述位线结构的所述远端的竖直侧表面上；蚀刻停止膜，沿所述单元间隔物的侧表面和所述单元区域隔离膜的顶面延伸；以及层间绝缘膜，在所述蚀刻停止膜上，并且在所述单元间隔物的所述侧表面上，其中所述层间绝缘膜包括氮化硅。
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公开(公告)号：CN109951198B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201811526213.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种执行选择性噪声滤波的无线通信设备及操作该设备的方法。一种由包括多个内部组件的无线通信设备的至少一个处理器执行的方法，所述方法包括：产生多组噪声信息，其中，所述多组噪声信息与由所述多个内部组件在多个状态情况下产生的多个测试噪声信号相应；接收射频(RF)信号；通过使用所述多组噪声信息中的与当前状态情况相应的一组噪声信息来确定干扰RF信号的噪声信号的幅值；并且基于RF信号的幅值和噪声信号的幅值对RF信号执行噪声滤波。
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公开(公告)号：CN107154345A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710123674.4
申请日：2017-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/76895 , H01L28/00 , H01L29/66621 , H01L21/027
Abstract: 本公开提供光掩模布图以及形成精细图案的方法。一种形成精细图案的方法可以被提供，该方法包括：在目标层上形成多个第一牺牲图案，该目标层在基板上；在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物；去除该多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，第二牺牲图案与第一间隔物交叉，每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，突出部部分具有比线部分宽的宽度；在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物；去除第二牺牲图案；以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板，孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。
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公开(公告)号：CN1862409B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200610004554.4
申请日：2006-01-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李钟旼
IPC: G03G15/043 , G03G15/00
CPC classification number: H01S5/0683 , H04N1/40037
Abstract: 一种控制图像形成设备中的激光束的发射的设备和方法。该方法包括产生与正常模式和色粉节省模式对应的第一参考电压和第二参考电压，以切换方式提供与模式选择信号对应的第一参考电压和第二参考电压之一，产生第一控制电压和第二控制电压来控制激光束的发射，和向激光二极管提供与所产生的第一和第二控制电压之一对应的驱动电流，以根据选择模式而控制激光束的强度。
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公开(公告)号：CN116075149A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211356181.2
申请日：2022-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体基底；第一层间绝缘层，布置在半导体基底上；低介电层，布置在第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层和第三层间绝缘层，顺序地布置在低介电层上；以及贯穿硅过孔，穿透半导体基底和第一层间绝缘层，其中，半导体基底、第一层间绝缘层和低介电层构成倒角结构，倒角结构包括第一倒角表面和第二倒角表面，第一倒角表面平行于半导体基底的顶表面，第二倒角表面相对于半导体基底的顶表面倾斜并连接到第一倒角表面。
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