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公开(公告)号：CN119095389A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411194843.X
申请日：2024-08-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种磁电非易失存储器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，解决了现有存储器能耗高的问题。该磁电非易失存储器包括铁电存储器和磁存储器；其结构包括自下而上依次设置的铁电底电极层、铁电层、MRAM底电极层、自由层、隧穿层、参考层、中间层、钉扎层、保护层和硬掩膜层。
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公开(公告)号：CN113488091B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202110819181.0
申请日：2021-07-20
Applicant: 无锡舜铭存储科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种印记抑制方法，应用于铁电存储器的制造，包括在铁电存储器测试完成之后，由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元施加抑制电压，以抑制所述铁电存储单元中印记的产生，提高铁电存储器的性能，并且通过铁电存储器的内部电路实现，无需外接电路，降低了检测成本，其中，所述抑制电压与所述铁电存储单元的写操作电压互为反向电压，且所述抑制电压大于或等于所述铁电存储单元的矫顽电压，且小于所述写操作电压。
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公开(公告)号：CN117750877A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311412904.0
申请日：2023-10-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种零维滑移铁电二极管及其制作方法，属于电子器件领域。上述器件具有交叠的具有滑移铁电效应的材料，所述具有滑移铁电效应的材料选自二硫化钨纳米管、二硫化钼纳米管、氮化硼纳米管或I nSe纳米管其中之一。上述器件由纳米管交叠并在相交处构成的微小接触面作为主要功能区域，即零维范德华界面。由于范德华界面两侧原子相互作用较弱，这个小面积范德华界面两侧的原子层会发生相对滑动，进而导致该处的电学极化方向发生改变，产生等效于铁电效应的性质，进一步使该电子器件的电学性质发生改变。该器件具有占用体积小、消耗能量低的优势，可用于制作下一代具有高密度、低能耗优点的存储器。
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公开(公告)号：CN117561804A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202180099649.1
申请日：2021-10-21
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种铁电器件、存储装置及电子设备，涉及存储领域，能够提高铁电器件的耐久性。该铁电器件包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的铁电层。铁电层包括可变价态金属氧化物和铁电材料。可变价态金属氧化物包括可变价态过渡金属氧化物和可变价态稀土金属氧化物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN117098400A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310813434.2
申请日：2023-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例针对包括阻挡层的存储器单元，该阻挡层被配置为阻挡金属从存储器单元的电极向存储器单元的铁电层的扩散。更具体地，阻挡层和铁电层位于存储器单元的顶部电极和存储器单元的底部电极之间，两者都包括金属。此外，阻挡层位于铁电层和电极之间，该电极对应于顶部电极和底部电极中的一个。在一些实施例中，顶部电极和底部电极中的一个的金属在顶部电极和底部电极的金属中具有最低电负性，因此是最具反应性的，并且可能在顶部电极的金属和底部电极的金属之间扩散。本申请的实施例还涉及集成电路芯片及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117082874A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210483842.1
申请日：2022-05-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种高精度光刻图案化PVDF基铁电性介电层的制备方法与应用，制备方法包括：首先将铁电性PVDF基聚合物、环状或体状硅氧烷交联单体、光引发剂混合并配制成溶液，得到前驱体溶液；之后将前驱体溶液涂覆成膜，并进行图案化光照，再用显影剂将未曝光区域的膜料移除，即得到图案化PVDF基铁电性介电层；其中，铁电性PVDF基聚合物包括PVDF、P(VDF‑TrFE)、P(VDF‑TrFE‑CFE)的至少一种；环状或体状硅氧烷光交联单体包括含有丙烯酸、甲基丙烯酸、环氧官能团的环四硅氧烷或聚倍半硅氧烷。与现有技术相比，本发明制备的铁电性介电层具有半互穿结构，薄膜内部相分离尺度小于200nm，图案化分辨率小，精度高；铁电相结晶性以及晶畴尺寸与原始PVDF基聚合物薄膜无明显差异甚至更优。
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公开(公告)号：CN113178478B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110275040.7
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种铁电薄膜及其沉积方法。一种铁电薄膜的沉积方法，包括：在半导体载体沉积HfO2基薄膜；在所述HfO2基薄膜上沉积顶电极；向所述顶电极注入离子；退火。或者，一种铁电薄膜的沉积方法，包括：向半导体载体注入离子；沉积HfO2基薄膜；在所述HfO2基薄膜上沉积顶电极；退火。本发明能够有效地减少氧化铪基铁电薄膜中的氧空位缺陷，从而提升其可靠性。
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公开(公告)号：CN115732542A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210945688.5
申请日：2022-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H10B51/00
Abstract: 本公开提出一种场效晶体管装置。具有经过改善的铁电特性以及装置性能。所公开的FeFET装置包括铁电材料栅极介电层以及金属氧化物半导体体通道层，具有经过改善的铁电特性，例如增加的残留极化、低缺陷还有增加的载子迁移率，用以改善装置性能。
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公开(公告)号：CN118413996A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311273481.9
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10B51/00
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，尤其是涉及一种耐久性铪基铁电器件及其制备方法和应用，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、功能层和顶电极；其中，所述底电极和所述功能层之间和/或所述功能层和所述顶电极之间设置有界面层，所述界面层为通过磁控溅射或原子层沉积技术生长的TiOx薄膜。本发明在不改变工艺条件下，TiOx界面插层可以在退火过程中预结晶，而TiOx结晶层会进一步辅助铁电功能层结晶，因此极化值不仅可以得到保证，而且还会降低界面处氧空位的缺陷数量，由此在耐久性测试过程中，可以减少氧空位的产生，使器件的耐久性得到显著提升。
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公开(公告)号：CN116240419B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310244664.1
申请日：2023-03-15
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: C22C5/04 , C30B29/52 , C30B28/06 , C30B9/06 , C23C14/28 , C23C14/16 , C23C14/58 , C22C1/02 , G16C60/00 , G16C20/30 , H10B53/00 , H10B51/00 , H01L29/78 , H10N50/10 , H10N30/00
Abstract: 本发明提供铱锑合金在制备基于铁电性的电子器件中的用途，其中，所述铱锑合金具有以下化学式：Ir1‑xMxSb1+δ或Ir1‑δSb1‑xQx，其中0≤x≤0.2，0≤δ≤0.2；M选自Ru、Rh、Pd和Pt中的一种或几种；Q选自Sn、Ge和As中的一种或几种。本发明的铱锑合金可用于基于铁电性的铁电存储器、铁电场效应晶体管、铁电隧道结、压电器件或铁电忆阻器中。
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