公开(公告)号：CN118413996A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202311273481.9

申请日：2023-09-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 魏巍 ,  吕舒贤 ,  罗庆 ,  王艳

IPC: H10B51/00

Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，尤其是涉及一种耐久性铪基铁电器件及其制备方法和应用，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、功能层和顶电极；其中，所述底电极和所述功能层之间和/或所述功能层和所述顶电极之间设置有界面层，所述界面层为通过磁控溅射或原子层沉积技术生长的TiOx薄膜。本发明在不改变工艺条件下，TiOx界面插层可以在退火过程中预结晶，而TiOx结晶层会进一步辅助铁电功能层结晶，因此极化值不仅可以得到保证，而且还会降低界面处氧空位的缺陷数量，由此在耐久性测试过程中，可以减少氧空位的产生，使器件的耐久性得到显著提升。

公开(公告)号：CN117747650A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311753516.9

申请日：2023-12-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 魏巍 ,  田晓丽 ,  王鑫华 ,  刘新宇 ,  徐堃慧 ,  白云 ,  杨成樾 ,  汤益丹 ,  郝继龙

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法，属于半导体技术领域，解决IGBT在短路模式下的短路耐量无法满足保护系统需求的问题。器件包括：沟槽栅MOS结构位于衬底的正面上，包括多个长沟道沟槽栅MOS和短沟道沟槽栅MOS，以交替方式配置配对的长沟道沟槽栅MOS与配对的短沟道沟槽栅MOS；发射极区在衬底正面位于接触沟槽底面下方，包括位于配对的长沟道沟槽栅MOS之间的第一发射极区和位于配对的短沟道沟槽栅MOS之间的第二发射极区；发射极欧姆接触区包括位于接触沟槽中的第一欧姆接触部分和位于衬底正面上方的第二欧姆接触部分；N型缓冲区位于衬底的背面上方；集电极区位于N型缓冲区上方；集电极欧姆接触区位于集电极区上方。提高IGBT的短路耐量。

公开(公告)号：CN107221599A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710376114.X

申请日：2017-05-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 卢年端 ,  魏巍 ,  李泠 ,  刘明

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种优化氧化物基的阻变存储器性能的方法，先获得每个掺杂元素的每个浓度下所述氧化物基阻变存储器对应的缺陷的激活能，然后得到氧化物基阻变存储器的缺陷的激活能和N个掺杂元素的映射关系；在依据此对所述N个掺杂元素进行分类；然后基于分类后的N个掺杂元素和确定出的氧化物基阻变存储器性能参数，确定出所述分类后的N个掺杂元素对所述氧化物基阻变存储器的各个性能参数的映射关系。本发明可以通过不同掺杂物浓度及类型对于激活能的影响来判断掺杂元素对于器件各种性能的影响，最终获得优化阻变存储器性能的最佳方法，从而不需要进行大量的实验测试，过程简单，精确性高。

公开(公告)号：CN118401009A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311279515.5

申请日：2023-09-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 魏巍 ,  吕舒贤 ,  罗庆 ,  王艳

IPC: H10B51/30 ,  H10B53/30

Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，尤其是涉及一种铪基铁电器件及其制备方法和应用，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、功能层和顶电极；其中，底电极和功能层之间和/或功能层和顶电极之间设置有界面层，界面层为通过磁控溅射或原子层沉积技术生长的NbOx薄膜。NbOx中Nb具有较多的价态，且极易失氧和得氧，因此，在循环擦写过程中，可频繁为铁电层提供O离子，以填充产生的缺陷，延长耐久性中的唤醒时间和疲劳时间，减缓极化值的下降，使器件表现为更为持久的可操作性以及更大的读写窗口；此外，NbOx界面层还可作为富氧层，以填充功能层中的缺陷，使界面处氧空位或缺陷降低，进而减少因读写循环操作导致的缺陷，进而提升铪基铁电器件的抗疲劳特性。

公开(公告)号：CN107221599B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201710376114.X

申请日：2017-05-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 卢年端 ,  魏巍 ,  李泠 ,  刘明

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种优化氧化物基的阻变存储器性能的方法，先获得每个掺杂元素的每个浓度下所述氧化物基阻变存储器对应的缺陷的激活能，然后得到氧化物基阻变存储器的缺陷的激活能和N个掺杂元素的映射关系；在依据此对所述N个掺杂元素进行分类；然后基于分类后的N个掺杂元素和确定出的氧化物基阻变存储器性能参数，确定出所述分类后的N个掺杂元素对所述氧化物基阻变存储器的各个性能参数的映射关系。本发明可以通过不同掺杂物浓度及类型对于激活能的影响来判断掺杂元素对于器件各种性能的影响，最终获得优化阻变存储器性能的最佳方法，从而不需要进行大量的实验测试，过程简单，精确性高。