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公开(公告)号：CN109887532A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910083189.8
申请日：2019-01-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C7/10
Abstract: 本公开提供一种融合型存储器的写入和擦除方法。其中写入方法包括中，融合性存储器包括多个存储单元，各存储单元块体衬底；衬底上方的源极、漏极和源极漏极之间延伸的沟道区，以及沟道区上堆叠的铁电层和栅极；其中，所述写入方法包括：在所述至少一个的存储单元的栅极和块体之间施加第一电压，所述第一电压小于所述铁电层发生极化翻转的翻转电压；所述源极和漏极分别为接地或者为浮置状态。本公开中，可以控制正向的第一电压实现数据的写入，与现有的DRAM比较，在85℃有1000秒以上的保持时间，速度与DRAM相当，保持特性大幅优于现有技术的DRAM。
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公开(公告)号：CN119986455A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510124662.8
申请日：2025-01-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种铁电电容介质层的缺陷信息提取方法，包括：对待测铁电电容进行预设次数的极化状态翻转；向待测铁电电容两端施加按照预设步长逐渐增加的阶梯电压，并得到每段阶梯电压下待测铁电电容的漏电流；根据每段阶梯电压的漏电流，确定每个漏电流的相关响应区域；确定所有相关响应区域的缺陷浓度，并根据缺陷浓度对相关响应区域进行赋值处理，以得到待测铁电电容的缺陷信息。本公开通过对铁电电容在逐渐增加的阶梯电压下的漏电流的检测，分析铁电电容在完整的电压施加过程中缺陷所在的相关响应区域的变化，结合缺陷浓度对相关响应区域进行赋值处理，得到每个相关响应区域的缺陷对漏电流的贡献程度，达到更完整地分析器件失效行为的目的。
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公开(公告)号：CN118430605A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410369084.X
申请日：2024-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种铁电存储单元耐久性疲劳的恢复方法，该方法包括：在恢复周期内，向所述铁电电容的两侧极板施加双极性恢复脉冲，所述双极性恢复脉冲的脉冲幅值的绝对值大于写脉冲的脉冲幅值的绝对值，以使所述铁电电容中铁电介质层的极化强度得到提升。本公开在器件发生疲劳效应的基础上施加双极性恢复脉冲进行高电压刺激，通过大电压下的电荷注入，使铁电电容中铁电介质层的带电缺陷变为中性，极化值得以提高，实现铁电存储单元极化强度的恢复。与此同时，本公开实施例所提供的方法可以重复使用，在铁电存储器使用过程中多次进行疲劳/恢复操作，使铁电器件耐久性得以恢复。
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公开(公告)号：CN109860190A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910083230.1
申请日：2019-01-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/1159 , H01L27/11597
Abstract: 本公开提供一种融合型存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；铁电层，位于沟道区之上；栅极，位于铁电层之上。本公开的融合型存储器使存储单元能够在电荷俘模式以及极化翻转模态下工作，因此，该存储器兼具DRAM和NAND的功能，融合了两者的优点。
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公开(公告)号：CN109801977A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910088556.3
申请日：2019-01-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/792 , H01L29/51 , H01L29/423 , H01L27/108
Abstract: 本公开提供一种存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；深能级缺陷介质层，位于沟道区之上；栅极，位于深能级缺陷介质层之上。本公开的存储器通过提供生能级缺陷介质层，可以使存储单元能够在电荷俘模式以及极化翻转模态下工作，因此，该存储器兼具DRAM和NAND的功能，融合了两者的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119095389A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411194843.X
申请日：2024-08-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种磁电非易失存储器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，解决了现有存储器能耗高的问题。该磁电非易失存储器包括铁电存储器和磁存储器；其结构包括自下而上依次设置的铁电底电极层、铁电层、MRAM底电极层、自由层、隧穿层、参考层、中间层、钉扎层、保护层和硬掩膜层。
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公开(公告)号：CN109860190B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910083230.1
申请日：2019-01-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/1159 , H01L27/11597
Abstract: 本公开提供一种融合型存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；铁电层，位于沟道区之上；栅极，位于铁电层之上。本公开的融合型存储器使存储单元能够在电荷俘模式以及极化翻转模态下工作，因此，该存储器兼具DRAM和NAND的功能，融合了两者的优点。
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公开(公告)号：CN118447910A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410470836.1
申请日：2024-04-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本说明书实施例提供了一种提取铁电场效应管栅介质层缺陷信息的测试方法及装置，其中，方法包括：进行脉冲测试前铁电场效应管的预极化方向的设置，并设置脉冲测试参数；进行脉冲测试，并得到PV值，在施加脉冲下降沿结束后测量得到其原漏电流，基于所述原漏电流计算得到相应的偏移测试电压ΔVth，并得到脉冲测试中不同栅极测试电压Vgate下测试数据Tch间隔时间t与ΔVth的关系；根据PV值得到铁电层内部电场，基于铁电层内部电场，基于所述铁电层内部电场，根据Vgate、ΔVth、以及t计算得到相应缺陷空间位置、缺陷密度以及缺陷能级位置。
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公开(公告)号：CN118408991A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410450299.4
申请日：2024-04-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本说明书实施例提供了一种实时提取失效过程中FeFET界面层及栅介质层内部缺陷信息的测试方法及装置，其中，方法包括：进行脉冲测试前铁电场效应管的预极化方向的设置，并设置脉冲测试参数；进行脉冲测试，得到PV值并进行噪声测试得到电流噪声功率谱密度，在施加脉冲下降沿结束后测量得到其原漏电流，基于原漏电流计算得到相应的偏移测试电压ΔVth，并得到脉冲测试中不同栅极测试电压Vgate下测试数据Tch间隔时间t与ΔVth的关系；根据PV值得到铁电层内部电场，基于铁电层内部电场，根据Vgate、ΔVth、以及t，采用LFN方法测量出氧化物隔离层的第一缺陷信息，采用改进的TSCIS方法测量出介电层的第二缺陷信息并进行整合。
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公开(公告)号：CN118398064A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311824126.6
申请日：2023-12-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C29/50
Abstract: 本发明提供了一种铁电存储器连续电荷密度变化的测试方法、装置、设备及介质，其中，方法包括通过控制线对铁电存储器按预设脉冲时间间隔输入多个电压递增的正脉冲，且各正脉冲前设有一个负置位脉冲；获取各正脉冲流经铁电存储器对应的电流变化数据，对首个正脉冲对应的电流进行积分，获得总电荷密度；通过获取各正脉冲流经铁电存储器的电流数据，将相邻两个正脉冲流经铁电存储器获得对应的电流进行相减获得的电流差，对电流差进行积分获得铁电存储器的极化翻转电荷量。以解决相关技术中传统测试方法仅能够得到某一固定电压下铁电存储器的极化值，而无法获取连续电压变化下的极化值的技术问题。
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