公开(公告)号：CN119986455A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510124662.8

申请日：2025-01-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 龚天成 ,  袁鸿烨 ,  朱新忠 ,  邱源 ,  叶恒 ,  赖晓敏 ,  习凯 ,  罗庆

IPC: G01R31/52 ,  G01R31/00

Abstract: 本公开提供了一种铁电电容介质层的缺陷信息提取方法，包括：对待测铁电电容进行预设次数的极化状态翻转；向待测铁电电容两端施加按照预设步长逐渐增加的阶梯电压，并得到每段阶梯电压下待测铁电电容的漏电流；根据每段阶梯电压的漏电流，确定每个漏电流的相关响应区域；确定所有相关响应区域的缺陷浓度，并根据缺陷浓度对相关响应区域进行赋值处理，以得到待测铁电电容的缺陷信息。本公开通过对铁电电容在逐渐增加的阶梯电压下的漏电流的检测，分析铁电电容在完整的电压施加过程中缺陷所在的相关响应区域的变化，结合缺陷浓度对相关响应区域进行赋值处理，得到每个相关响应区域的缺陷对漏电流的贡献程度，达到更完整地分析器件失效行为的目的。

公开(公告)号：CN118447910A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410470836.1

申请日：2024-04-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗庆 ,  袁鸿烨 ,  龚天成

IPC: G11C29/48 ,  G11C29/12

Abstract: 本说明书实施例提供了一种提取铁电场效应管栅介质层缺陷信息的测试方法及装置，其中，方法包括：进行脉冲测试前铁电场效应管的预极化方向的设置，并设置脉冲测试参数；进行脉冲测试，并得到PV值，在施加脉冲下降沿结束后测量得到其原漏电流，基于所述原漏电流计算得到相应的偏移测试电压ΔVth，并得到脉冲测试中不同栅极测试电压Vgate下测试数据Tch间隔时间t与ΔVth的关系；根据PV值得到铁电层内部电场，基于铁电层内部电场，基于所述铁电层内部电场，根据Vgate、ΔVth、以及t计算得到相应缺陷空间位置、缺陷密度以及缺陷能级位置。

公开(公告)号：CN118408991A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410450299.4

申请日：2024-04-15

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 龚天成 ,  袁鸿烨 ,  罗庆

IPC: G01N27/61 ,  G01R19/10 ,  G01R19/08

Abstract: 本说明书实施例提供了一种实时提取失效过程中FeFET界面层及栅介质层内部缺陷信息的测试方法及装置，其中，方法包括：进行脉冲测试前铁电场效应管的预极化方向的设置，并设置脉冲测试参数；进行脉冲测试，得到PV值并进行噪声测试得到电流噪声功率谱密度，在施加脉冲下降沿结束后测量得到其原漏电流，基于原漏电流计算得到相应的偏移测试电压ΔVth，并得到脉冲测试中不同栅极测试电压Vgate下测试数据Tch间隔时间t与ΔVth的关系；根据PV值得到铁电层内部电场，基于铁电层内部电场，根据Vgate、ΔVth、以及t，采用LFN方法测量出氧化物隔离层的第一缺陷信息，采用改进的TSCIS方法测量出介电层的第二缺陷信息并进行整合。