公开(公告)号：CN119986455A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510124662.8

申请日：2025-01-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 龚天成 ,  袁鸿烨 ,  朱新忠 ,  邱源 ,  叶恒 ,  赖晓敏 ,  习凯 ,  罗庆

IPC: G01R31/52 ,  G01R31/00

Abstract: 本公开提供了一种铁电电容介质层的缺陷信息提取方法，包括：对待测铁电电容进行预设次数的极化状态翻转；向待测铁电电容两端施加按照预设步长逐渐增加的阶梯电压，并得到每段阶梯电压下待测铁电电容的漏电流；根据每段阶梯电压的漏电流，确定每个漏电流的相关响应区域；确定所有相关响应区域的缺陷浓度，并根据缺陷浓度对相关响应区域进行赋值处理，以得到待测铁电电容的缺陷信息。本公开通过对铁电电容在逐渐增加的阶梯电压下的漏电流的检测，分析铁电电容在完整的电压施加过程中缺陷所在的相关响应区域的变化，结合缺陷浓度对相关响应区域进行赋值处理，得到每个相关响应区域的缺陷对漏电流的贡献程度，达到更完整地分析器件失效行为的目的。