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公开(公告)号：CN119243337A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411202105.5
申请日：2024-08-29
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: C30B29/52 , C30B9/06 , H10N10/853
Abstract: 本发明提供了一种TiCoSb基半哈斯勒单晶热电材料，所述TiCoSb基半哈斯勒单晶热电材料的化学式为Ti1‑x‑yMxRyCoSb；其中，M元素包括Nb元素、Ta元素、Sc元素、V元素中的至少一种，R元素包括Zr元素、Hf元素中的至少一种，并且x不大于0.07，y不大于0.25。本发明所提供的一种TiCoSb基半哈斯勒单晶热电材料、制备方法及热电装置，通过在Ti位按照比例掺杂M元素和合金化R金属元素，实现TiCoSb基半哈斯勒单晶热电材料的性能调控；通过不同比例M元素的异价掺杂作用，提供热电材料所需的合适载流子浓度，以提高材料的功率因子PF，提升材料的电性能；通过引入不同比例R元素的等电子合金化作用，提供声子的散射点位，降低材料的热导率，保证所制备的Ti1‑x‑yMxRyCoSb单晶具有良好的热电性能。
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公开(公告)号：CN116240419B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310244664.1
申请日：2023-03-15
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: C22C5/04 , C30B29/52 , C30B28/06 , C30B9/06 , C23C14/28 , C23C14/16 , C23C14/58 , C22C1/02 , G16C60/00 , G16C20/30 , H10B53/00 , H10B51/00 , H01L29/78 , H10N50/10 , H10N30/00
Abstract: 本发明提供铱锑合金在制备基于铁电性的电子器件中的用途，其中，所述铱锑合金具有以下化学式：Ir1‑xMxSb1+δ或Ir1‑δSb1‑xQx，其中0≤x≤0.2，0≤δ≤0.2；M选自Ru、Rh、Pd和Pt中的一种或几种；Q选自Sn、Ge和As中的一种或几种。本发明的铱锑合金可用于基于铁电性的铁电存储器、铁电场效应晶体管、铁电隧道结、压电器件或铁电忆阻器中。
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公开(公告)号：CN117737820A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311778704.7
申请日：2023-12-21
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及红外非线性光学晶体的制备方法；本发明中红外非线性光学晶体分子式为SrZnSnSe4，制备方法包括顶部籽晶生长法和助熔剂生长法；本发明提供的一种红外非线性光学晶体的制备方法，制备过程中不需要真空硅管封装技术和使用保护气氛，利用本发明中的制备方法制得的晶体，其生长周期短，晶体直径可达厘米级以上。
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公开(公告)号：CN117702240A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311721456.2
申请日：2023-12-14
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有白钨矿结构的无机单晶材料及其生长方法和应用，该方法包括以下步骤：S1、将溶质与复合助熔剂混合均匀，得到原料混合物；所述溶质为Na2CO3和/或DCO3、BO3和/或Re2O3，其中，D为Ca、Sr或Ba；B为W或Mo；Re为Y、La、Gd、Er或Yb；所述复合助熔剂为Na2B2O7和NaF的混合物；所述溶质、Na2B2O7和NaF的摩尔添加比为x1：x2：x3，其中，0
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公开(公告)号：CN117230530A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311515439.3
申请日：2023-11-15
Applicant: 常州臻晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种晶体生长加热系统及其工作方法；本发明提供了一种晶体生长加热系统，包括：石墨外胆、第一内胆、第二内胆、石墨筒两限位套筒和紧固件，所述石墨外胆内部中空，所述石墨外胆转动设置在发热筒内；所述第一内胆套设在所述第二内胆的外壁，所述第二内胆适于承载溶液；所述限位套筒设置在所述第一内胆的上方，两限位套筒适于从两侧夹紧所述石墨筒；所述紧固件贯穿所述石墨筒，所述紧固件适于连接石墨筒和第二内胆；通过紧固件的设置，能够将第一内胆、第二内胆和石墨套筒连接固定，避免了被腐蚀的内胆掉落在溶液中，同时，石墨筒和石墨外胆还能够重复利用，降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116288713A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310301399.6
申请日：2023-03-24
Applicant: 天津理工大学
IPC: C30B29/10 , C30B28/02 , C30B28/04 , C30B9/12 , C30B9/06 , C30B7/10 , C30B17/00 , G02F1/355 , C01B35/12
Abstract: 本发明涉及系列含氟稀土硼酸盐化合物及系列含氟稀土硼酸盐非线性光学晶体及其制备方法和用途，该系列化合物及其晶体化学通式均为A2REB3O6F2，其中A＝Rb，Cs，NH4；RE＝Sc,Y,La，分子量为247.46‑571.14，该系列晶体属于正交晶系，空间群Amm2，晶胞参数Z＝2，该系列含氟稀土硼酸盐化合物采用固相反应法或水热法合成，该系列非线性光学晶体采用高温熔液法、水热法或溶液法生长。该系列材料可用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
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公开(公告)号：CN115976625A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310109001.9
申请日：2023-02-14
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于制备3C‑SiC单晶的方法，其包括以下步骤：(1)将SiC籽晶固定至石墨籽晶托，然后将所述石墨籽晶托固定至石墨提拉杆；(2)将含Si和Al的助熔剂置于石墨坩埚中；(3)然后，将所述石墨坩埚和石墨提拉杆装载到生长炉中；(4)对所述生长炉抽真空，然后通入气体以控制生长炉内的气压和3C‑SiC的晶型；(5)加热所述石墨坩埚至助熔剂完全熔化以形成熔体，并达到SiC的生长温度；(6)下推所述石墨提拉杆使得所述SiC籽晶与熔体接触，进而生长3C‑SiC单晶；其中，所述助熔剂还包含熔点低于SiC生长温度的3d族过渡金属。本发明的方法能够生长出高质量、大尺寸(如2‑6英寸)、低缺陷、单一晶型、掺杂均匀的n型、p型和半绝缘的3C‑SiC单晶。
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公开(公告)号：CN114411251A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210064013.X
申请日：2022-01-20
Applicant: 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
Abstract: 本发明提出一种使用移动加热器法生长高质量Cs2LiLaBr6晶体的方法，依据Cs2LaBr5‑LiBr相图，分别制备了符合CLLB计量比的致密多晶料、可以直接析出CLLB晶体比例的溶剂区致密多晶料，之后利用符合CLLB计量比的致密多晶料和溶剂区致密多晶料，通过调整出特定的温场形状令只有溶剂区多晶料融化，熔体扩散和对流中使得符合CLLB计量比的多晶料在溶解界面溶解，然后在生长界面析出，采用THM法，随着炉体和晶体的相对移动，溶剂区缓慢的上移，最终全部符合CLLB计量比的多晶料融化通过溶剂区并在生长界面析出结晶，生长出结晶质量良好的CLLB单晶体。本发明可以使熔体始终维持在可以析出CLLB晶体的比例，又能避免熔区溶质浓度降低导致的结晶界面失稳，提高LiBr的利用率。
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公开(公告)号：CN111441080B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010453439.5
申请日：2020-05-26
Applicant: 中国科学院兰州化学物理研究所 , 青岛市资源化学与新材料研究中心(中国科学院兰州化学物理研究所青岛研究发展中心)
Abstract: 本发明涉及单晶制备技术领域，尤其涉及一种In2Te5单晶及其制备方法、In2Te5单晶薄膜及其制备方法与应用。所述In2Te5单晶的制备方法包括：将金属In和单质Te混合，得到混合原料；所述金属In和单质Te的摩尔比为1:5～10；将所述混合原料在真空条件下进行合成反应，所述合成反应的温度为720～750K；然后将反应所得体系降温至670～700K进行固液分离，得到In2Te5单晶。本发明制备的In2Te5单晶尺寸大、质量好，可用于制备高质量的In2Te5单晶薄膜，制得的In2Te5单晶薄膜可应用于光电探测器件、可饱和吸收体、润滑添加剂等领域。
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公开(公告)号：CN106868591A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710105834.2
申请日：2017-02-27
Applicant: 河南理工大学
Abstract: 本发明涉及一种新化合物Na3DyP2O8及其制备方法和应用，其特征在于：该结构属于单斜晶系空间群C2/c，晶体学参数为a=27.458(3) Å，b=5.3126 (6) Å,c=13.9060 (15) Å，β=91.416(2)°，Z=12，V=2027.9(4) Å3。材料在近紫外光激发下，材料Na3DyP2O8可以发射出黄色荧光，可作为黄色荧光粉用于荧光发光材料技术领域。
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