-
公开(公告)号：CN119546179A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311103485.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供一种芯片及其制备方法、电子设备，涉及半导体领域，可以利用应力施加层产生较大的张应力，有效抑制铁电层因相变而发生的体积变化，降低热预算，减小高温退火工艺对铁电层造成损伤。该芯片包括衬底，依次层叠设置在衬底上的第一电极、铁电层、以及第二电极。铁电层朝向第二电极的表面为第一表面，第二电极覆盖部分第一表面，第一表面中未被第二电极覆盖的部分为第一子表面。芯片还包括由介电材料构成的应力施加层，应力施加层的热膨胀系数小于第二电极的热膨胀系数，应力施加层从第一子表面延伸至第二电极的侧壁。
-
公开(公告)号：CN117794250A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211138610.9
申请日：2022-09-19
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种铁电存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高存储器的使用寿命、持久性。该铁电存储阵列可以为二维结构，还可以为三维结构，铁电存储阵列包括阵列式排布的多个存储单元，每个存储单元包括铁电电容器和晶体管，铁电电容器包括相对设置的第一电极和第二电极、铁电层和保护层，其中，铁电层设置于第一电极与第二电极之间。至少一个保护层设置于铁电层与第一电极之间，和/或铁电层与第二电极之间。保护层的材料包括金属氧化物，且保护层的厚度小于0.1nm。该铁电存储阵列可应用于存储器中，以实现对数据的读取和写入。
-
公开(公告)号：CN117561804A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202180099649.1
申请日：2021-10-21
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种铁电器件、存储装置及电子设备，涉及存储领域，能够提高铁电器件的耐久性。该铁电器件包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的铁电层。铁电层包括可变价态金属氧化物和铁电材料。可变价态金属氧化物包括可变价态过渡金属氧化物和可变价态稀土金属氧化物中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN117222306A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210597419.4
申请日：2022-05-30
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种铁电单元、三维铁电结构以及铁电存储器，本申请提供的铁电单元，包括：第一电极；设置于所述第一电极表面的第一铁电层；设置于所述第一铁电层表面、远离所述第一电极一侧的第二铁电层；设置于所述第二铁电层表面、远离所述第一铁电层一侧的第二电极；其中，所述第一铁电层中第一元素的浓度，高于所述第二铁电层中所述第一元素的浓度，所述第一元素为铪元素、锆元素和氧元素中的一项。该铁电单元可以灵活调节铁电器件的电学对称性，从而提高铁电器件的性能。
-
公开(公告)号：CN119997513A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202311515181.7
申请日：2023-11-13
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供一种铁电存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在增大存储器的读写数据窗口，降低存储器的功耗。该铁电存储阵列包括多个存储单元，每个存储单元包括铁电电容器和晶体管，铁电电容器包括相对设置的第一电极和第二电极，以及位于第一电极与第二电极之间的铁电层和插层。铁电层与第一电极之间可设置有插层，铁电层与第二电极之间也可设置有插层，或者，铁电层与第一电极之间以及铁电层与第二电极之间均设置有插层。插层中包括电偶极子，沿由第一电极指向第二电极的方向，电偶极子分布于插层的相对两个表面。该铁电存储阵列可应用于铁电随机存取存储器中，以实现对数据的读取和写入。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119497389A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311038185.0
申请日：2023-08-16
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供一种存储单元、其制作方法、存储器及电子设备，引入的第一掺杂层中的金属元素的亥姆霍兹自由能低于铁电层中的金属元素的亥姆霍兹自由能时，通过第一掺杂层的引入可以有利于介质层展现出铁电性能；引入的第二掺杂层中的金属元素的亥姆霍兹自由能不低于铁电层中的金属元素的亥姆霍兹自由能时，通过第二掺杂层的引入可以疏导捕获和累积的电子，避免电子在介质层中发生聚集和积累，进而避免因电子聚集和累积而造成介质层被击穿，从而在得到铁电存储单元时，提高介质层乃至存储单元的可靠性。
-
公开(公告)号：CN118540954A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310194854.7
申请日：2023-02-23
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 铁电存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备。衬底、一层或多层第一电极、第一柱状孔、铁电层、第二电极、第一热电臂、第二热电臂。一层或多层第一电极层叠设置在衬底上，相邻的第一电极绝缘；第一柱状孔贯穿一层或多层第一电极；第一热电臂嵌入第一柱状孔；第二热电臂嵌入第一热电臂，第一热电臂与第二热电臂具有不同的费米能级，第一热电臂和第二热电臂电连接；第二电极设置于第一热电臂和一层或多层第一电极之间，铁电层设置于第二电极和一层或多层第一电极之间。可以通过控制载流子的移动方向，使得载流子在第一热电臂和第二热电臂连接处吸收热量，达到铁电器件降温的目的。利用第一柱状孔容纳第一热电臂，铁电存储阵列的结构简单。
-
公开(公告)号：CN117063268A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202180043840.4
申请日：2021-12-20
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L21/31
Abstract: 本公开涉及一种用于制造铁电存储器的方法。该方法包括将铁氧层放入弱腐蚀性的氧化性溶液中，氧化性溶液可以与铁氧层中的碳缺陷快速反应以去除碳缺陷，并且还可以与铁电层中的氧空位发生反应，以填充氧空位。通过调控铁电层中的碳缺陷浓度与氧空位缺陷浓度，可以达到调控铁电层的铁电极化特性与可靠性的效果。此外，在可以将多个晶圆一同放入氧化性溶液中同时进行处理的情形下，可以显著提高生产效率并且降低制造成本。
-
公开(公告)号：CN116847660A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210284945.5
申请日：2022-03-22
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种铁电材料、铁电存储单元、存储器及电子设备，其中，该铁电存储单元包括相对设置的第一电极和第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的铁电层，铁电层包括层叠设置的HfO2基铁电材料层和具有层状结构的氧化物材料层。从而利用氧化物材料的层状结构使氧化物材料层的晶格间距变大，使氧离子更加容易在材料中移动，从而氧离子更容易进入HfO2基铁电材料中，这样不仅可以在铁电存储单元初始状态下降低界面氧空位对铁电畴的钉扎作用、降低唤醒效应；在极化翻转过程中，氧空位在迁移过程中更容易转移到层状结构中而不会在HfO2基铁电材料中反复迁移造成疲劳甚至形成导电通路使整个器件击穿。
-
公开(公告)号：CN119542172A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311107800.9
申请日：2023-08-29
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本申请实施例提供的一种微波退火装置、微波退火方法和半导体工艺设备。微波退火装置包括承载台、微波发生器、波导管和驱动组件。具体来说，承载台用于承载待退火部件。微波发生器用于产生微波。波导管包括入口和出口，其中，入口和微波发生器连接，出口朝向承载台设置。微波从波导管的入口进入波导管，并从波导管的出口射出。从波导管的出口射出的微波可以对准待退火部件，并在待处理表面形成照射区域，且照射区域的面积小于待处理表面的表面。由于微波的能量集中入射至待处理表面的局部范围，因此减小了向周围环境射出的微波能量，提高了微波的利用率。驱动组件可以驱动波导管和承载台相对运动，以使得微波的照射区域扫过整个待处理表面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.024 seconds)
