公开(公告)号：CN115697036A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210750430.X

申请日：2022-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟旼 ,  金薰敏

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：在衬底上的下电极、在下电极的上侧壁上的第一上支撑层图案、以及在下电极和第一上支撑层图案的表面上的介电层和上电极。下电极可以布置成蜂窝图案，所述下电极位于六边形的顶点和中心处。第一上支撑层图案可以为第一板形状，并且包括暴露所有下电极的一部分的开口。下电极可以在第一方向上形成行，所述行在垂直于第一方向的第二方向上布置。每一个开口可以暴露相邻两行中的至少四个下电极的上侧壁的部分。开口中的每一个可以具有在第一方向上的纵向方向。在半导体器件中，可以减少由弯曲应力引起的缺陷。

公开(公告)号：CN116261327A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211468379.X

申请日：2022-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄烘奎 ,  金奈映 ,  金成澔 ,  金薰敏 ,  黄惠林

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 提供了一种集成电路装置。该集成电路装置的上电极包括：含金属导电图案，所述含金属导电图案设置在电介质层上并且填充多个下电极之间的空间而且覆盖所述多个下电极的顶表面；以及非金属导电图案，所述非金属导电图案包括顶表面和与所述含金属导电图案的顶表面接触的底表面。所述非金属导电图案包括：下非金属导电部分，所述下非金属导电部分包括距所述底表面第一高度处的第一顶表面；以及上非金属导电部分，所述上非金属导电部分包括距所述底表面比所述第一高度高的第二高度处的第二顶表面并且沿远离所述衬底的方向从所述下非金属导电部分的所述第一顶表面突出。所述第二高度与所述第一高度之间的差大于所述第一高度。