公开(公告)号：CN116261327A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211468379.X

申请日：2022-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄烘奎 ,  金奈映 ,  金成澔 ,  金薰敏 ,  黄惠林

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 提供了一种集成电路装置。该集成电路装置的上电极包括：含金属导电图案，所述含金属导电图案设置在电介质层上并且填充多个下电极之间的空间而且覆盖所述多个下电极的顶表面；以及非金属导电图案，所述非金属导电图案包括顶表面和与所述含金属导电图案的顶表面接触的底表面。所述非金属导电图案包括：下非金属导电部分，所述下非金属导电部分包括距所述底表面第一高度处的第一顶表面；以及上非金属导电部分，所述上非金属导电部分包括距所述底表面比所述第一高度高的第二高度处的第二顶表面并且沿远离所述衬底的方向从所述下非金属导电部分的所述第一顶表面突出。所述第二高度与所述第一高度之间的差大于所述第一高度。

公开(公告)号：CN100565808C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200310104557.1

申请日：2003-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成澔 ,  朴东健 ,  李昌燮 ,  崔晶东 ,  金成玟 ,  李信爱

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/42376 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种自对准接触结构及其形成方法，包括限定的邻近栅电极，相邻的侧壁构形得相互角形相对。使用衬里层保护栅电极的角形表面，衬里层延伸接触窗口的长度，定义了接触窗口的侧壁。

公开(公告)号：CN1499578A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104557.1

申请日：2003-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成澔 ,  朴东健 ,  李昌燮 ,  崔晶东 ,  金成玟 ,  李信爱

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/42376 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种自对准接触结构及其形成方法，包括限定的邻近栅电极，相邻的侧壁构形得相互角形相对。使用衬里层保护栅电极的角形表面，衬里层延伸接触窗口的长度，定义了接触窗口的侧壁。