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公开(公告)号：CN119072132A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410597356.1
申请日：2024-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：外围电路结构；和单元结构，所述单元结构堆叠在所述外围电路结构上并且包括单元区域、连接区域和外围电路连接区域，其中，所述单元结构包括：栅电极，所述栅电极在所述单元区域中在垂直方向上相互间隔开；沟道结构，所述沟道结构在所述垂直方向上延伸通过所述栅电极，位于所述单元区域中，并且包括第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，所述第一端部接近所述外围电路结构；绝缘壁，所述绝缘壁在所述单元区域与所述连接区域之间的边界处在所述垂直方向上延伸；和公共源极层，所述公共源极层在所述单元区域中连接到所述沟道结构的所述第二端部，并且具有布置在所述绝缘壁的侧壁上的部分。
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公开(公告)号：CN111816660A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010272722.8
申请日：2020-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：包括交替堆叠的栅结构和第一电介质图案的堆叠结构；穿透堆叠结构的垂直沟道；以及从垂直沟道和第一栅结构之间延伸到垂直沟道和第一电介质图案之间的电荷存储层。栅结构包括具有彼此面对且具有不同宽度的顶表面和底表面的第一栅结构。电荷存储层包括在垂直沟道与第一栅结构之间的第一段以及在垂直沟道与第一电介质图案之间的第二段。第一段的厚度大于第二段的厚度。每个第一栅结构的顶表面的宽度和每个第一栅结构的底表面的宽度中的一个与在该第一栅结构上的第一电介质图案的宽度相同。
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公开(公告)号：CN111816660B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202010272722.8
申请日：2020-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：包括交替堆叠的栅结构和第一电介质图案的堆叠结构；穿透堆叠结构的垂直沟道；以及从垂直沟道和第一栅结构之间延伸到垂直沟道和第一电介质图案之间的电荷存储层。栅结构包括具有彼此面对且具有不同宽度的顶表面和底表面的第一栅结构。电荷存储层包括在垂直沟道与第一栅结构之间的第一段以及在垂直沟道与第一电介质图案之间的第二段。第一段的厚度大于第二段的厚度。每个第一栅结构的顶表面的宽度和每个第一栅结构的底表面的宽度中的一个与在该第一栅结构上的第一电介质图案的宽度相同。
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公开(公告)号：CN108573972B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201810189474.3
申请日：2018-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种三维半导体器件及其形成方法。三维半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一主分离图案和第二主分离图案，设置在基板上并交叉第一区域和第二区域；栅电极，设置在第一主分离图案与第二主分离图案之间并且形成堆叠栅极组，栅电极顺序地堆叠在第一区域上并且在从第一区域到第二区域的方向上延伸；以及至少一个次分离图案，设置在第二区域上、设置在第一主分离图案与第二主分离图案之间、并且穿透设置在第二区域上的栅电极。栅电极包括在第二区域上的焊盘部分，焊盘部分比设置在第一区域上的栅电极更厚并与至少一个次分离图案接触。
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公开(公告)号：CN116599617A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310110350.2
申请日：2023-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04J3/06
Abstract: 提供了一种媒体时钟恢复设备、用于恢复媒体时钟的方法和电子设备。该媒体时钟恢复设备包括处理电路，该处理电路被配置成确定时间戳是否正常，该时间戳是通过网络在分组中接收的，计算虚拟时间戳的平均时间间隔，响应于确定时间戳不正常，计算的虚拟时间戳的平均时间间隔被用于产生媒体时钟，基于计算的虚拟时间戳的平均时间间隔来生成虚拟时间戳，其中处理电路被配置为响应于在从先前接收到的分组的接收时间起的时间阈值内没有接收到分组，确定时间戳不正常。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107492554B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201710432066.1
申请日：2017-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。在一个实施方式中，半导体器件包括在基板上使层间绝缘层和导电层交替的叠层。每个导电层在第一方向上延伸得少于导电层中的前一个，以限定导电层的所述前一个的着陆部分。绝缘插塞在导电层中的一个中且在着陆部分中的一个之下，并且接触插塞从着陆部分中的所述一个的上表面延伸。
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公开(公告)号：CN108573972A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810189474.3
申请日：2018-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/11582 , H01L27/11556
Abstract: 提供一种三维半导体器件及其形成方法。三维半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一主分离图案和第二主分离图案，设置在基板上并交叉第一区域和第二区域；栅电极，设置在第一主分离图案与第二主分离图案之间并且形成堆叠栅极组，栅电极顺序地堆叠在第一区域上并且在从第一区域到第二区域的方向上延伸；以及至少一个次分离图案，设置在第二区域上、设置在第一主分离图案与第二主分离图案之间、并且穿透设置在第二区域上的栅电极。栅电极包括在第二区域上的焊盘部分，焊盘部分比设置在第一区域上的栅电极更厚并与至少一个次分离图案接触。
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公开(公告)号：CN102843820B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210209185.8
申请日：2012-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05B37/02
CPC classification number: H05B37/02 , H05B37/0245 , H05B37/0281 , Y02B20/42 , Y02B20/72
Abstract: 本发明提供了用于控制路灯调光的设备和方法。一种调光控制设备，包括：照明驱动单元，用于驱动照明设施；电源单元，用于提供驱动所述照明设施所需的功率；存储单元，用于存储多个调光简档，其中包括用于驱动所述照明设施的时间区域以及根据所述时间区域的调光等级；以及控制器，用于通过使用所述调光简档来对所述照明驱动单元和所述电源单元进行控制。将所述照明设施的操作时间分成多个时间区域，并且产生调光简档以包括在所述多个时间区域中的每一个时间区域中用于驱动所述照明设施的发光强度以及每一个时间区域。
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公开(公告)号：CN104008517A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410062465.X
申请日：2014-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06Q50/22
Abstract: 提供一种将标本的检验结果从医疗装置发送到目的地的方法和系统，其中，标本的检验结果在下文中被称为检验结果。通过移动装置将检验结果从医疗装置发送到目的地的方法包括：通过使用医疗装置来检验标本；从医疗装置接收检验结果，其中，所述接收由移动装置来执行；接收指示检验结果将被发送到的目的地的目的地信息，其中，所述接收由移动装置来执行；将检验结果发送到与目的地信息相应的目的地，其中，所述发送由移动装置来执行。
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公开(公告)号：CN1487599A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03152492.3
申请日：2003-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823412 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/42392 , H01L29/66477 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66772 , H01L29/66787 , H01L29/78 , H01L29/78642 , H01L29/78654 , H01L29/78696
Abstract: 集成电路场效应晶体管包括具有表面以及表面上的有源区沟道图形的衬底。有源区图形包括相互叠置的多个沟道并相互隔开以定义至少一个隧道，隧道位于各相邻沟道之间。栅电极环绕多个沟道并延伸穿过至少一个隧道。也提供一对源/漏区。通过在衬底表面上形成预有源图形制备集成电路场效应晶体管。预有源图形包括一系列中间沟道层以及相互交替叠置的沟道层。源/漏区形成在衬底上的预有源图形相对端。选择性地除去多个中间沟道层，以形成穿过预有源图形的多个隧道，由此限定出包括隧道和包括沟道层的多个沟道的有源沟道图形。栅电极形成在隧道中并环绕沟道。
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