公开(公告)号：CN116547959A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180079372.6

申请日：2021-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河承旼 ,  姜庚旼 ,  李信爱 ,  金文圭 ,  金镛埈 ,  柳荣桓 ,  马圣烈

IPC: H04L65/40

Abstract: 根据本公开的实施例中的电子装置包括：通信电路，其发送和/或接收信号；存储器，其存储有指令；以及至少一个处理器，其与通信电路和存储器可操作地连接，其中，至少一个处理器被配置为执行指令并且基于指令进行操作。至少一个处理器可以：生成电子装置的第一用户的公钥和区块链地址；确定要与其共享数据的外部电子装置；经由通信电路向外部电子装置发送包括关于公钥和区块链地址的信息的邀请消息；基于响应于该邀请消息已经从该外部电子装置接收到的响应消息，生成包括该外部电子装置作为节点的区块链网络；以及将关于该区块链网络的信息存储在外部服务器中。由说明书确定的其他各种实施例是可能的。

公开(公告)号：CN1581509A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055895.5

申请日：2004-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  尹恩贞 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供金属氧化物半导体(MOS)晶体管的基本单元，该基本单元包括集成电路衬底和集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区和栅极区，栅极区在源区和漏区之间。在源区和漏区之间提供第一和第二沟道区。通过由沟槽区分开的集成电路衬底中的第一和第二间隔突起限定沟道区。第一和第二突起远离集成电路衬底延伸，第一和第二突起的上表面基本上与源区和漏区的上表面齐平。在第一和第二间隔突起的侧壁上和在第一和第二间隔突起的至少部分表面上延伸的沟槽区中提供栅电极。

公开(公告)号：CN1518127A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410001940.9

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  吴昌佑 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  赵慧珍 ,  尹恩贞 ,  李信爱 ,  崔晶东

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0653

Abstract: 提供一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管的单元，包括集成电路衬底以及集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区以及栅极。栅极位于源区和漏区之间。在源区和漏区下面以及源区和集成电路衬底与漏区和集成电路衬底的每一个之间提供第一和第二隔开的缓冲区。

公开(公告)号：CN1487599A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03152492.3

申请日：2003-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  朴东楗 ,  李昌燮 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  金成澔

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823412 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 集成电路场效应晶体管包括具有表面以及表面上的有源区沟道图形的衬底。有源区图形包括相互叠置的多个沟道并相互隔开以定义至少一个隧道，隧道位于各相邻沟道之间。栅电极环绕多个沟道并延伸穿过至少一个隧道。也提供一对源/漏区。通过在衬底表面上形成预有源图形制备集成电路场效应晶体管。预有源图形包括一系列中间沟道层以及相互交替叠置的沟道层。源/漏区形成在衬底上的预有源图形相对端。选择性地除去多个中间沟道层，以形成穿过预有源图形的多个隧道，由此限定出包括隧道和包括沟道层的多个沟道的有源沟道图形。栅电极形成在隧道中并环绕沟道。

公开(公告)号：CN100565808C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200310104557.1

申请日：2003-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成澔 ,  朴东健 ,  李昌燮 ,  崔晶东 ,  金成玟 ,  李信爱

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/42376 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种自对准接触结构及其形成方法，包括限定的邻近栅电极，相邻的侧壁构形得相互角形相对。使用衬里层保护栅电极的角形表面，衬里层延伸接触窗口的长度，定义了接触窗口的侧壁。

公开(公告)号：CN100550418C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200410001940.9

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  吴昌佑 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  赵慧珍 ,  尹恩贞 ,  李信爱 ,  崔晶东

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0653

Abstract: 提供一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管的单元，包括集成电路衬底以及集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区以及栅极。栅极位于源区和漏区之间。在源区和漏区下面以及源区和集成电路衬底与漏区和集成电路衬底的每一个之间提供第一和第二隔开的缓冲区。

公开(公告)号：CN100477262C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410055895.5

申请日：2004-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  尹恩贞 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供金属氧化物半导体(MOS)晶体管的基本单元，该基本单元包括集成电路衬底和集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区和栅极区，栅极区在源区和漏区之间。在源区和漏区之间提供第一和第二沟道区。通过由沟槽区分开的集成电路衬底中的第一和第二间隔突起限定沟道区。第一和第二突起远离集成电路衬底延伸，第一和第二突起的上表面基本上与源区和漏区的上表面齐平。在第一和第二间隔突起的侧壁上和在第一和第二间隔突起的至少部分表面上延伸的沟槽区中提供栅电极。

公开(公告)号：CN100456498C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN03152492.3

申请日：2003-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  朴东楗 ,  李昌燮 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  金成澔

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823412 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 集成电路场效应晶体管包括具有表面以及表面上的有源区沟道图形的衬底。有源区图形包括相互叠置的多个沟道并相互隔开以定义至少一个隧道，隧道位于各相邻沟道之间。栅电极环绕多个沟道并延伸穿过至少一个隧道。也提供一对源/漏区。通过在衬底表面上形成预有源图形制备集成电路场效应晶体管。预有源图形包括一系列中间沟道层以及相互交替叠置的沟道层。源/漏区形成在衬底上的预有源图形相对端。选择性地除去多个中间沟道层，以形成穿过预有源图形的多个隧道，由此限定出包括隧道和包括沟道层的多个沟道的有源沟道图形。栅电极形成在隧道中并环绕沟道。

公开(公告)号：CN1499578A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104557.1

申请日：2003-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成澔 ,  朴东健 ,  李昌燮 ,  崔晶东 ,  金成玟 ,  李信爱

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/42376 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种自对准接触结构及其形成方法，包括限定的邻近栅电极，相邻的侧壁构形得相互角形相对。使用衬里层保护栅电极的角形表面，衬里层延伸接触窗口的长度，定义了接触窗口的侧壁。