公开(公告)号：CN117766562A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311131264.6

申请日：2023-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  金锡勋 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  郑㥠珍

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，其包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，其在衬底上与有源区交叉并且在第二方向上延伸，其中，有源区包括在栅极结构的至少一侧的凹进区；多个沟道层，其在有源区上，在基本上垂直于衬底的上表面的第三方向上彼此间隔开，并且被栅极结构至少部分地围绕；以及源极/漏极区，其在有源区的凹进区中并且连接至多个沟道层。

公开(公告)号：CN117423727A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310676475.1

申请日：2023-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  金锡勋 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  郑㥠珍

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置包括：在第一方向上彼此间隔开的第一沟道结构和第二沟道结构；以及源极/漏极图案，其在第一沟道结构与第二沟道结构之间，包括接触第一沟道结构的第一界面和接触第二沟道结构的第二界面，其中，在平面图中，源极/漏极图案包括在第二方向上彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁包括第一倾斜侧壁、第二倾斜侧壁和第一倾斜侧壁与第二倾斜侧壁相遇之处的第一水平交叉部，在第二方向上，第一界面的宽度与第二界面的宽度不同，并且在第一方向上，从第一界面至第一水平交叉部的距离大于从第二界面至第一水平交叉部的距离。

公开(公告)号：CN114725201A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111493819.2

申请日：2021-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河龙 ,  金锡勋 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  郑㥠珍

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包括：有源图案，其包括下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的片状图案；栅极结构，其位于下部图案上，并且包括围绕片状图案的栅电极，栅电极在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及源极/漏极图案，其在下部图案上并且与片状图案接触。片状图案与源极/漏极图案之间的接触表面在第二方向上具有第一宽度，并且片状图案在第二方向上具有大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN114628500A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111116770.9

申请日：2021-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金正泽 ,  金锡勋 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  郑㥠珍 ,  崔珉姬 ,  河龙

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括：多沟道有源图案；多个栅极结构，位于所述多沟道有源图案上并在第一方向上彼此间隔开，所述多个栅极结构包括在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的栅电极；源极/漏极凹陷，位于相邻的所述栅极结构之间；以及源极/漏极图案，在所述源极/漏极凹陷中位于所述多沟道有源图案上，其中，所述源极/漏极图案包括：半导体衬垫层，包括硅锗并沿着所述源极/漏极凹陷延伸；半导体填充层，包括硅锗并位于所述半导体衬垫层上；以及至少一个半导体插入层，位于所述半导体衬垫层和所述半导体填充层之间，其中，所述至少一个半导体插入层具有鞍结构。

公开(公告)号：CN118173518A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311420224.3

申请日：2023-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  金正泽 ,  刘贤琯 ,  金锡勋 ,  朴判贵 ,  郑㥠珍 ,  赵南奎

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了能提高元件性能和可靠性的半导体器件。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案和在有源图案上在第一方向上彼此隔开的多个栅极结构。每个栅极结构包括在第二方向上延伸的栅电极、栅电极的侧壁上的栅极间隔物和设置在相邻栅极结构之间的源极/漏极图案。栅极结构包括半导体衬垫层和半导体衬垫层上的半导体填充层，半导体衬垫层和半导体填充层由硅锗形成。半导体填充层包括在第三方向上突出超过有源图案的上表面的上部。半导体填充层的上部在第一方向上的最大宽度大于有源图案的上表面上的半导体填充层在第一方向的宽度。半导体衬垫层包括与有源图案接触的外表面和面向半导体填充层的内表面。在平面图中，半导体衬垫层的内表面包括凹区域。

公开(公告)号：CN114639734A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111326140.4

申请日：2021-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑㥠珍 ,  高到贤 ,  金锡勳 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  崔珉姬 ,  河龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，包括下图案和多个片图案；栅极结构，设置在下图案上并且围绕多个片图案；以及源极/漏极图案，填充源极/漏极凹陷并且形成在栅极结构的至少一侧上。源极/漏极图案包括沿着源极/漏极凹陷延伸并且接触下图案的第一半导体图案以及依次地设置在第一半导体图案上的第二半导体图案和第三半导体图案，第三半导体图案的下表面设置在最下面的片图案的下表面下方，第三半导体图案的侧表面包括平面部分，并且在第三半导体图案的下表面上的第二半导体图案的厚度与在第三半导体图案的侧表面的平面部分上的第二半导体图案的厚度不同。